1.一种下电极组件，包括卡盘、卡盘基座和射频引入件，其中，所述卡盘基座用于承载所述卡盘；所述射频引入件用于将射频电流引入所述卡盘，其特征在于，在所述卡盘与所述卡盘基座之间设置有绝缘支撑件，用以将所述卡盘与所述卡盘基座电绝缘；并且，所述卡盘基座接地；
分别对应地在所述卡盘基座和所述绝缘支撑件中设置有沿其厚度贯穿的通孔，所述射频引入件由下而上穿过所述通孔，且与所述卡盘固定连接，并且所述射频引入件分别与所述卡盘基座和所述绝缘支撑件相互间隔。
2.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述射频引入件呈柱状，且竖直设置，并且在所述射频引入件的上端设置有安装台，所述射频引入件通过所述安装台与所述卡盘固定连接，且电导通。
3.根据权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，在所述卡盘的下表面，且位于所述通孔内设置有凹槽，所述安装台位于所述凹槽中，并通过螺钉与所述卡盘固定连接。
4.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，所述安装台与所述凹槽在所述卡盘的轴线上的截面形状相互吻合。
5.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述射频引入件为电缆。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括屏蔽筒，所述屏蔽筒固定在所述卡盘基座的底部，且环绕在所述射频引入件自所述卡盘基座底部伸出的部分的周 围；
所述屏蔽筒接地。
7.根据权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述屏蔽筒通过螺钉与所述卡盘基座固定连接。
8.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括至少三个顶针和顶针驱动机构，其中，
所述顶针驱动机构用于驱动所述至少三个顶针上升或下降，以使所述顶针的顶端依次贯穿所述卡盘基座、绝缘支撑件和卡盘，并上升至高于所述卡盘上表面的位置处，或者下降至低于所述卡盘上表面的位置处；
所述至少三个顶针接地。
9.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述绝缘支撑件所采用的材料包括陶瓷或石英。
10.一种半导体加工设备，包括反应腔室、上电极组件和下电极组件，其中，所述上电极组件设置在所述反应腔室的顶部，用于激发反应腔室内的反应气体形成等离子体；所述下电极组件设置在所述反应腔室内，用于承载被加工工件，并实现射频能量的馈入，其特征在于，所述下电极组件采用权利要求1-9任意一项所述的下电极组件。