技术总结
本发明提供的下电极组件及半导体加工设备，其包括卡盘、卡盘基座和射频引入件，其中，卡盘基座用于承载卡盘；射频引入件用于将射频电流引入卡盘，其中，在卡盘与卡盘基座之间设置有绝缘支撑件，用以将卡盘与卡盘基座电绝缘；并且，所述卡盘基座接地。分别对应地在卡盘基座和绝缘支撑件中设置有沿其厚度贯穿的通孔，射频引入件由下而上穿过通孔并与卡盘固定连接，且射频引入件分别与卡盘基座和绝缘支撑件相互间隔。本发明提供的下电极组件，其不仅可以减少射频能量的损失，而且还可以提高射频电流回路的稳定性。
技术研发人员：栾大为
受保护的技术使用者：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
文档号码：201510867497
技术研发日：2015.12.01
技术公布日：2017.06.09