1.一种大通道半导体激光器液体制冷片，其特征在于：包括片状制冷片主体；
所述的制冷片主体上设置入液孔和出液孔，所述的入液孔和出液孔均贯通制冷片主体的上表面和下表面；制冷片主体上靠近入液孔的一端设置芯片安装区，用于安装激光芯片；所述的入液孔的内壁上设有入水口，出液孔的内壁上设有出水口，所述的制冷片主体内设有管状液体制冷通道，将入水口和出水口连通。
2.根据权利要求1所述的一种大通道半导体激光器液体制冷片，其特征在于：所述液体制冷通道以入水口为起点，路径经芯片安装区与入液孔之间的区域，以出水口为终点。
3.一种大通道半导体激光器液体制冷片，其特征在于：包括片状制冷片主体；
制冷片主体上设置通液孔，通液孔贯通制冷片主体的上表面和下表面，在制冷片主体的一端设置芯片安装区；所述的制冷片主体的侧面设置入水口，所述通液孔的内壁上设置出水口，制冷片主体内设有管状液体制冷通道，用于将入水口和出水口连通。
4.根据权利要求3所述的一种大通道半导体激光器液体制冷片，其特征在于：管状液体制冷通道水流路径经芯片安装区与通液孔之间的区域。
5.根据权利要求1或者3所述的一种大通道半导体激光器液体制冷片，其特征在于：所述制冷片主体内的液体制冷通道的直径为0.5mm-3mm。
6.根据权利要求1或者3所述的一种大通道半导体激光器液体制冷片，其特征在于：所述的制冷片主体为铜-金刚石或者铜。
7.采用了权利要求1或者3所述的一种大通道半导体激光器液体制冷片的半导体激光器叠阵，其特征在于：自下而上依次为下通水块，正电极片，至少一个半导体激光器单元，负电极片；所述的半导体激光器单元包括本发明的大通道半导体激光器液体制冷片，激光芯片，负极连接片；所述的激光芯片正极键合于液体制冷片的芯片安装区，激光芯片的负极与负极连接片直接连接，或者激光芯片的负极通过金线与负极连接片连接，负极连接片与液体制冷片之间设有绝缘层，用于使液体制冷片和负极连接片之间绝缘。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器叠阵，其特征在于：所述的半导体激光器叠阵的两侧分别各设有一块侧板，半导体激光器叠阵的负电极片上设置固定块，两块侧板和固定块用于固定半导体激光器叠阵；所述的半导体激光器叠阵的背部安装有绝缘块，绝缘块上覆有正电极片的引出电极和负电极片的引出电极。
9.根据权利要求7所述的半导体激光器叠阵，其特征在于：所述的半导体激光器单元的激光芯片和芯片安装区之间设有应力缓释层，激光芯片的正极焊接或者金属键合在应力缓释层上，应力缓释层焊接或者金属键合在芯片安装区上；所述的应力缓释层材料为铜钨。