1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有弹性体层；
步骤S2：通过3D激光打印在所述弹性体层中形成碗状开口，露出所述半导体衬底；
步骤S3：在所述弹性体层上和所述碗状开口中形成金属层并图案化，以露出所述弹性体层的两端；
步骤S4：在所述金属层上以及露出的所述弹性体层上再次形成所述弹性体层，以完全填充所述碗状开口；
步骤S5：选用3D激光打印所述弹性体层的两端，以去除所述金属层两端上的部分所述弹性体层，以在所述碗状开口上方形成凸起；
步骤S6：沉积绝缘层，以覆盖所述弹性体层；
步骤S7：选用3D激光打印所述绝缘层和所述弹性体层，以形成开口，露出所述金属层的两端。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述开口中形成焊接锡球的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述3D激光打印中，3D激光束从所述碗状开口的底部到顶部的停留时间逐渐变短，以刻蚀形成所述碗状开口的倾斜结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，3D激光束以所述碗状开口的中心轴为坐标进行所述3D激光打印。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5和所述步骤S7中，所述3D激光打印得到的均为方形图案，其中3D激光束以所述方形图案的长和宽为坐标进行所述3D激光打印。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述3D激光打印的激光束的直径为50～80μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述3D激光打印的激光束的频率为20～500kHz的脉冲重复频率。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述3D激光打印的激光束的功率为25～100w。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述3D激光打印的激光束的扫描速度为1um/s～4.0m/s。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述3D激光打印的激光束的控制瞬间温度为400～1200℃。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述3D激光打印的方式为连续激光方式。
12.一种如权利要求1至11之一所述方法制备得到的半导体器件。
13.一种电子装置，包括权利要求12所述的半导体器件。