技术特征：
技术总结
一种金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法，对于a)后高K栅介质层、金属栅工艺，在去除伪栅极结构，填入高K栅介质层、功函数层以及金属栅过程中；以及b)先高K栅介质层、后金属栅工艺，在去除伪栅极，填入功函数层以及金属栅过程中：在金属栅结构上形成两端均宽于该金属栅结构的刻蚀阻挡层。该刻蚀阻挡层使得后续在介质层内形成源漏区接触通孔的光刻工艺中，即使掩膜板与基底对准存在偏差或掩膜板中对应该通孔的开口较大，由于刻蚀阻挡层对其下覆盖的金属栅结构以及介质层形成保护，刻蚀形成的通孔不会暴露金属栅，从而通孔内填入的导电材质也不会与金属栅电导通，提高了器件良率、降低了掩膜板与基底的对准精度，以及降低了光刻精细度要求。
技术研发人员：赵杰
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2015.12.28
技术公布日：2017.07.04