1.一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：
彼此间隔开地设置在第一基板上的第一子像素和第二子像素；
数据线，该数据线设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间并且设置在垂直方向上；以及
感测线，所述感测线具有设置在所述第二子像素的一侧并且设置在所述垂直方向上的垂直感测线以及设置在与所述数据线交叉的水平方向上并且连接到所述垂直感测线的水平感测线，
其中，所述水平感测线由存在于所述第一基板上的源/漏金属层形成，并且所述水平感测线的连接到所述第一子像素的感测晶体管的第一电极的一个部分以及所述水平感测线的连接到所述第二子像素的感测晶体管的第一电极的另一部分被设置在与所述数据线交叉的区域中，并且
其中，所述水平感测线通过连接电极电连接，所述连接电极由存在于所述第一基板上的所述源/漏金属层下面的绝缘阻光层形成。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述绝缘阻光层、设置在所述绝缘阻光层上的缓冲层、设置在所述缓冲层上的虚拟半导体层以及设置在所述虚拟半导体层上的层间绝缘层被设置在所述第一基板与所述源/漏金属层之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，
位于所述水平感测线的一部分中的所述源/漏金属层通过形成在所述层间绝缘层和所述缓冲层中的第一接触孔连接到所述绝缘阻光层的一侧，
位于所述水平感测线的另一部分中的所述源/漏金属层通过形成在所述层间绝缘层和所述缓冲层中的第二接触孔连接到所述绝缘阻光层的另一侧，并且
所述虚拟半导体层被设置在所述第一接触孔与所述第二接触孔之间。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述连接电极和所述虚拟半导体层被分支成至少两条线。
5.一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：
彼此间隔开地设置在第一基板上的第一子像素和第二子像素；
数据线，该数据线设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间并且设置在垂直 方向上；
感测线，所述感测线具有设置在所述第二子像素的一侧并且设置在所述垂直方向上的垂直感测线以及设置在与所述数据线交叉的水平方向上并且连接到所述垂直感测线的水平感测线，
其中，所述水平感测线由存在于所述第一基板上的源/漏金属层形成，并且所述水平感测线的连接到所述第一子像素的感测晶体管的第一电极的一个部分以及所述水平感测线的连接到所述第二子像素的感测晶体管的第一电极的另一部分被设置在与所述数据线交叉的区域中，并且
其中，所述水平感测线通过连接电极电连接，所述连接电极由存在于所述第一基板上的所述源/漏金属层下面的绝缘栅金属层形成。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的所述绝缘栅金属层以及设置在所述绝缘栅金属层上的第二绝缘层被设置在所述第一基板与所述源/漏金属层之间。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，
位于所述水平感测线的一个部分中的所述源/漏金属层通过形成在所述第二绝缘层中的第一接触孔连接到所述绝缘栅金属层的一侧，并且
位于所述水平感测线的另一部分中的所述源/漏金属层通过形成在所述第二绝缘层中的第二接触孔连接到所述绝缘栅金属层的另一侧。
8.一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：
彼此间隔开地设置在第一基板上的第一子像素和第二子像素；
数据线，该数据线设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间并且设置在垂直方向上；
感测线，所述感测线具有设置在所述第二子像素的一侧并且设置在所述垂直方向上的垂直感测线以及设置在与所述数据线交叉的水平方向上并且连接到所述垂直感测线的水平感测线，
其中，所述水平感测线由存在于所述第一基板上的像素电极形成，并且所述水平感测线的连接到所述第一子像素的感测晶体管的第一电极的一个部分以及所述水平感测线的连接到所述第二子像素的感测晶体管的第一电极的另一部分被设置在与所述数据线交叉的区域中，并且
其中，所述水平感测线通过连接电极电连接，所述连接电极由存在于所述第一基板上的源/漏金属层下面的绝缘阻光层形成。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述绝缘阻光层、设置在所述绝缘阻光层上的缓冲层、设置在所述缓冲层上的层间绝缘层以及设置在所述层间绝缘层上的保护层被设置在所述第一基板与所述像素电极之间。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，
位于所述水平感测线的一个部分中的所述像素电极通过形成在所述保护层、所述层间绝缘层和所述缓冲层中的第一接触孔连接到所述绝缘阻光层的一侧，并且
位于所述水平感测线的另一部分中的所述像素电极通过形成在所述保护层、所述层间绝缘层和所述缓冲层中的第二接触孔连接到所述绝缘阻光层的另一侧。
11.一种制造包括显示面板的有机发光显示装置的方法，该有机发光显示装置具有彼此间隔开地设置在第一基板上的第一子像素和第二子像素、在垂直方向上设置在所述第一子像素与所述第二子像素之间的数据线、以及感测线，所述感测线具有在所述垂直方向上设置在所述第二子像素的一侧的垂直感测线以及设置在与所述数据线交叉的水平方向上的水平感测线，所述方法包括以下步骤：
在所述第一基板上形成阻光层、缓冲层、半导体层和光致抗蚀剂；
利用所述光致抗蚀剂对所述阻光层、所述缓冲层和所述半导体层进行构图，以形成所述阻光层的一部分作为连接电极，并且留下所述半导体层的在所述连接电极上的一部分以形成虚拟半导体层；
去除所述光致抗蚀剂并且在所述第一基板上形成覆盖所述阻光层、所述连接电极、所述缓冲层、所述半导体层和所述虚拟半导体层的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层中形成第一接触孔以使得所述阻光层的一侧被暴露，并且在所述层间绝缘层中形成第二接触孔以使得所述阻光层的另一侧被暴露；以及
在所述层间绝缘层上形成源/漏金属层以使得所述源/漏金属层的一个部分与所述阻光层的一侧接触，所述源/漏金属层的另一部分与所述阻光层的另一侧接触，以将所述垂直感测线和所述水平感测线电连接。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成所述虚拟半导体层的步骤中，通过半色调掩模对存在于所述第一接触孔和所述第二接触孔中的光致抗蚀剂进行构图，通过全色调掩模对存在于所述虚拟半导体层部分中的光致抗蚀剂进行构图。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述阻光层、所述缓冲层、所述虚拟半导体层和所述层间绝缘层的步骤包括以下步骤：在所述第一基板与所述源/漏金属层之间设置所述阻光层、所述缓冲层、所述虚拟半导体层和所述层间绝缘层。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述源/漏金属层的步骤还包括以下步骤：
将位于所述水平感测线的一部分中的所述源/漏金属层通过形成在所述层间绝缘层和所述缓冲层中的所述第一接触孔连接到所述阻光层的一侧；以及
将位于所述水平感测线的另一部分中的所述源/漏金属层通过形成在所述层间绝缘层和所述缓冲层中的所述第二接触孔连接到所述阻光层的另一侧，
其中，所述虚拟半导体层被设置在所述第一接触孔与所述第二接触孔之间。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述连接电极的步骤包括以下步骤：将所述连接电极和所述虚拟半导体层分支成至少两条线。