切割片的制作方法

本发明涉及半导体晶片等工件的切割，特别是涉及可以用于隐形切割(Stealth Dicing)的切割片。

本申请主张2014年6月10日在日本申请的日本特愿2014-120034号的优先权，在此引用了其内容。

背景技术：

在从半导体晶片等工件制造包含半导体芯片等片状体的加工物时，以往通常一边以对工件清洗等为目的而喷吹液体，一边进行用旋转刀具切断工件而得到片状体的切片刀切割加工。但是，近年来采用了能够用干法分割成片状体的隐形切割(Stealth Dicing)(注册商标；以下相同)加工(专利文献1)。

例如，在专利文献2中公开了一种隐形切割法，该方法包括：将叠层粘合片(叠层了2层由基材和粘合剂层构成的粘合片而形成的片材)粘贴于极薄的半导体晶片，从叠层粘合片侧隔着该叠层粘合片对半导体晶片照射激光，在半导体晶片的内部形成改性部，然后对粘合片进行扩片(expand)，由此沿切割线分割半导体晶片，生产半导体芯片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3762409号公报

专利文献2：日本特开2007-123404号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

如上所述，在对工件照射激光时，激光需要透过粘合片到达工件，因此要求粘合片具有激光透射性。

但是，在切割片的粘合剂层的与基材相反侧，为了保护上述粘合剂层而多数叠层剥离片。以膜卷状态送出上述切割片时，卷成卷状的切割片中基材的与粘合剂层相反侧的面和剥离片的与粘合剂层相反侧的面密合而发生粘连，会发生由膜卷的送出不良，或者基材被转移至卷成卷状的剥离片上，有时无法进行工件的粘贴。

本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种切割片，所述切割片能够在从卷成卷状的状态送出切割片时抑制粘连的发生，且在激光照射时激光透射性优异。

用于解决课题的方案

为了实现上述目的，第1，本发明提供一种切割片(发明1)，其具备：基材、叠层于所述基材的第1面侧的粘合剂层、以及叠层于所述粘合剂层的与所述基材相反面侧的剥离片，其中，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将所述切割片在130℃下加热2小时后，所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。需要说明的是，在本说明书中，“片”包含例如长条胶带等概念。

根据上述发明(发明1)，在将切割片卷成卷状时，基材的第2面和与所述基材的第2面接触的剥离片不易密合，在送出卷成卷状的切割片时，不易发生粘连。另外，在对切割片加热后从基材的第2面侧照射激光时，激光不会因基材的第2面的凹凸发生散射，从而透过切割片高效地到达工件(半导体晶片)，激光透射性优异。

在上述发明(发明1)中，优选所述基材的第2面的所述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)小于所述算术平均粗糙度(Ra1)(发明2)。

在上述发明(发明1、2)中，优选所述基材的熔点为90～180℃(发明3)。

在上述发明(发明1～3)中，优选所述基材在130℃下的储能模量为1～100MPa(发明4)。

在上述发明(发明1～4)中，优选所述基材在所述加热后对波长1064nm的光线透射率为40％以上(发明5)。

在上述发明(发明1～5)中，优选所述基材是由乙烯和丙烯的共聚物构成的膜(发明6)。

在上述发明(发明1～6)中，优选所述切割片具备夹具用粘合剂层，所述夹具用粘合剂层叠层于所述粘合剂层的与所述基材侧相反侧的边缘部(发明7)。

发明的效果

根据本发明的切割片，可以抑制从卷成卷状的状态将所述切割片送出时的粘连的产生，在激光照射时激光透射性优异。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的切割片的剖面图。

图2是示出本发明的一个实施方式的切割片的使用例的剖面图，具体而言是示出叠层结构体的剖面图。

图3是本发明的其它实施方式的切割片的剖面图。

图4是实施例中制作的切割片的俯视图。

符号说明

1、1A…切割片

2…基材

3…粘合剂层

401…圆形

402…圆弧

403…直线

5…夹具用粘合剂层

6…剥离片

7…半导体晶片

8…环状框

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。

图1是本发明的一个实施方式的切割片的剖面图。如图1所示，本实施方式的切割片1具备基材2、叠层于基材2的第1面侧(图1中的上侧)的粘合剂层3和叠层于粘合剂层3上的剥离片6而构成。剥离片6在使用切割片1时被剥离除去，在此之前保护粘合剂层3。这里，将基材2中的粘合剂层3侧的面称为“第1面”，将其相反侧的面(图1中的下面)称为“第2面”。

作为一个例子，本实施方式的切割片1用于在对作为工件的半导体晶片进行切割加工时保持半导体晶片，但并不限定于此。

本实施方式的切割片1通常形成长条并卷成卷状，以辊对辊(roll to roll)方式使用。

1.基材

基材2的第2面(以下，有时称为“基材2的背面”。)的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上。将切割片1在130℃下加热2小时再冷却至室温后(以下有时简称为“加热后”)，基材2的背面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。需要说明的是，基材2的背面的算术平均粗糙度(Ra1)是在130℃下加热2小时前基材2的背面的算术平均粗糙度，以下有时称为“加热前的算术平均粗糙度(Ra1)”。该加热前的算术平均粗糙度(Ra1)及加热后的算术平均粗糙度(Ra2)是基于JISB0601：2001而测定的，测定方法的详细如后面叙述的试验例所示。

需要说明的是，送出卷成卷状的切割片1时为加热前，隐形切割的激光照射在加热后进行。

由于基材2的背面的加热前的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，因此基材2的背面和剥离片6的与粘合剂层3相反侧的面不易密合。由此，在送出卷成卷状的切割片1时，不易发生粘连。因此，可以抑制由粘连导致发生送出不良的情况、基材2转移至卷成卷状的剥离片6而无法粘贴工件的情况。

从上述观点考虑，基材2的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)优选为0.25μm以上，特别优选为0.30μm以上。

这里，作为基材2的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)的上限，优选为1.0μm以下，特别优选为0.8μm以下，进一步优选为0.7μm以下。加热前的算术平均粗糙度(Ra1)超过1.0μm时，存在难以满足上述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)的隐患。

即，基材41的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)优选为0.25～1.0μm的范围，更优选为0.30～0.7μm的范围。

另一方面，基材2的背面在上述条件下加热后的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下的情况下，在切割片1加热后从基材2的背面侧照射激光时，激光透过切割片1而不会因基材2的背面的凹凸发生散射，从而可高效地到达工件(半导体晶片)，激光透射性优异。因此，利用隐形切割进行的工件分割性优异。

从上述观点考虑，基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)优选为0.20μm以下，特别优选为0.10μm以下。

这里，作为基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)的下限，只要能够满足加热前的算术平均粗糙度(Ra1)即可，没有特别限制。但通常为0.001μm以上，优选为0.01μm以上。

即，基材41的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)优选为0.001～0.20μm的范围，更优选为0.01～0.10μm的范围。

另外，在基材2中，优选基材2的背面在上述条件下加热后的算术平均粗糙度(Ra2)小于加热前的算术平均粗糙度(Ra1)。通过进行这样的设定，可以使加热前的粘连抑制效果及加热后的激光透射性两者更加优异。

作为调整基材2的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)的方法，没有特别限定，通常可以通过改变在对构成基材2的树脂膜进行成膜时所使用的辊表面的表面粗糙度、喷砂加工、或者配合通过加热而熔融形成平面的填料等来进行调整。

另一方面，作为调整基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)的方法，优选由熔点在给定范围的树脂膜(以树脂类材料作为主要材料的膜)构成基材2，特别优选由熔点在给定范围、且在130℃下的储能模量在给定范围的树脂膜构成基材2。

基材2的熔点优选为90～180℃，特别优选为100～160℃，进一步优选为110～150℃。通过使基材2的熔点在上述范围，容易将基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)调整至上述范围。基材2的熔点低于90℃时，存在加热中基材2完全熔融的隐患。另一方面，基材2的熔点超过180℃时，存在基材2的背面的算术平均粗糙度即使经过130℃/2小时的加热也不发生变化的隐患。需要说明的是，上述熔点是基于JISK7121(ISO3146)测定的，测定方法的详细情况如后面叙述的试验例所示。

调整基材2的熔点的方法没有特别限制，通常主要可以通过所要使用的树脂材料的熔点来进行调整。另外，通过混合熔点不同的多种树脂材料、将多种单体共聚，也可以将基材2调整为任意熔点。

基材2在130℃下的储能模量优选为1～100MPa，特别优选为2～80MPa，进一步优选为5～50MPa。通过使基材2在130℃下的储能模量在上述范围，容易将基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)调整至上述的范围。基材2在130℃下的储能模量低于1MPa时，加热处理中基材2会大幅变形，存在不能保持工件的隐患。另一方面，基材2在130℃下的储能模量超过100MPa时，存在基材2的背面的算术平均粗糙度经过130℃/2小时的加热也不发生变化的隐患。需要说明的是，上述储能模量的测定方法如后面叙述的试验例所示。

调整基材2在130℃下的储能模量的方法没有特别限定，通常主要可以通过所要使用的树脂材料的储能模量来进行调整。另外，一般来说，相同的化学结构存在分子量大时储能模量增高的倾向，还存在由于交联、狭窄的分子量分布而储能模量增高的倾向。根据这样的倾向，可以将基材2调整为任意的储能模量。

在隐形切割等中使用波长1064nm的激光的情况下，基材2在加热后对波长1064nm的光线透射率优选为40％以上，特别优选为50％以上，进一步优选为60％以上。通过使基材2在加热后对波长1064nm的光线透射率为上述范围，利用隐形切割进行的工件分割性变得优异。在本实施方式中，通过使基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)为上述范围，可以实现上述光线透射率。需要说明的是，基材2在加热后对波长1064nm的光线透射率越高越好，作为能够实现的光线透射率，最大约为99％左右。

作为构成基材2的树脂膜的具体例子，可以列举：低密度聚乙烯(LDPE)膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯类膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟树脂膜等。另外，也可以使用它们的交联膜、离聚物膜这样的改性膜。还可以是叠层多个上述膜而成的叠层膜。需要说明的是，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸两者的意思。其它类似用语也同样处理。

在叠层膜的情况下，例如，优选在基材2的背面侧设置加热前后算术平均粗糙度发生变化的膜，在基材2的粘合剂层3侧设置具有耐热性且在高温下也不变形的膜。

在上述当中，优选聚烯烃类膜，特别优选聚乙烯膜、聚丙烯膜及乙烯-丙烯共聚物膜，进一步优选乙烯-丙烯共聚物膜。采用这些树脂膜，容易满足上述的物性，特别是在乙烯-丙烯共聚物膜的情况下，通过调整乙烯单体与丙烯单体的共聚比，容易满足上述的物性。另外，从工件粘贴性、芯片剥离性的观点考虑，也优选这些树脂膜。

对于上述树脂膜而言，为了提高与叠层于其表面的粘合剂层3的密合性，可以根据希望在一面或两面实施利用氧化法、凹凸化法等的表面处理、或底涂处理。作为上述氧化法，可以列举例如：电晕放电处理、等离子体放电处理、铬氧化处理(湿法)、火焰处理、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等，另外，作为凹凸化法，可以列举例如：喷砂法、喷镀处理法等。

需要说明的是，基材2还可以在上述树脂膜中含有着色剂、阻燃剂、增塑剂、防静电剂、润滑剂、填料等各种添加剂。

基材2的厚度只要能够在使用切割片1的各工序中适当发挥作用即可，没有特别限定，优选为20～450μm，特别优选为25～400μm，进一步优选为50～350μm。

2.粘合剂层

本实施方式的切割片1所具备的粘合剂层3可以由非能量线固化性粘合剂构成，也可以由能量线固化性粘合剂构成。作为非能量线固化性粘合剂，优选具有所期望的粘合力及再剥离性，例如，可以使用丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂、聚氨酯类粘合剂、聚酯类粘合剂、聚乙烯基醚类粘合剂等。其中，优选在切割工序等中能够有效抑制工件或加工物脱落的丙烯酸类粘合剂。

另一方面，对于能量线固化性粘合剂而言，由于在能量线照射下粘合力降低，因此，在想要使工件或加工物与切割片1进行分离时，可以通过能量线照射而容易地进行分离。

构成粘合剂层3的能量线固化性粘合剂可以以具有能量线固化性的聚合物作为主成分，也可以以不具有能量线固化性的聚合物与能量线固化性的多官能单体和/或低聚物的混合物作为主成分。

以下，对于能量线固化性粘合剂以具有能量线固化性的聚合物作为主成分的情况进行说明。

具有能量线固化性的聚合物优选在侧链导入了具有能量线固化性的官能团(能量线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(A)(以下有时也称为“能量线固化型聚合物(A)”)。该能量线固化型聚合物(A)优选为具有含官能团单体单元的(甲基)丙烯酸类共聚物(a1)与具有待键合于该官能团的取代基的含不饱和基团化合物(a2)发生反应而得到的化合物。

丙烯酸类共聚物(a1)由源自含官能团单体的结构单元与源自(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元构成。

作为丙烯酸类共聚物(a1)的结构单元的含官能团单体，优选分子内具有聚合性的双键和羟基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的单体。

作为上述含官能团单体的更具体的例子，可以列举：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等，这些化合物可以单独使用，也可以组合2种以上使用。

作为构成丙烯酸类共聚物(a1)的(甲基)丙烯酸酯单体，可以使用烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯。其中，特别优选使用烷基的碳原子数为1～18的烷基(甲基)丙烯酸酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。

丙烯酸类共聚物(a1)通常以相对于丙烯酸类共聚物(a1)的总质量为3～100质量％、优选4～80％、更优选5～40质量％的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元，通常以相对于丙烯酸类共聚物(a1)的总质量为0～97质量％、优选60～95质量％的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元。

丙烯酸类共聚物(a1)可以通过用通常方法将上述含官能团单体与(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物进行共聚而得到，除了这些单体以外，还可以将二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等进行共聚。

通过使上述具有含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(a1)与具有待键合于该官能团的取代基的含不饱和基团化合物(a2)发生反应，能够得到能量线固化型聚合物(A)。

含不饱和基团化合物(a2)所具有的取代基可以根据丙烯酸类共聚物(a1)所具有的含官能团单体单元的官能团种类来适当选择。例如，在官能团为羟基、氨基或取代氨基的情况下，优选异氰酸酯基或环氧基作为取代基，在官能团为环氧基的情况下，优选氨基、羧基或氮丙啶基作为取代基。

另外，在含不饱和基团化合物(a2)中，每1分子含有1～5个能量线聚合性碳-碳双键，优选每1分子含有1～2个能量线聚合性碳-碳双键。作为这样的含不饱和基团化合物(a2)的具体例子，可以列举例如：2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、多羟基化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-唑啉、2-异丙烯基-2-唑啉等。

相对于上述丙烯酸类共聚物(a1)的每100当量含官能团单体，通常以10～100当量的比例使用含不饱和基团化合物(a2)，优选以20～95当量的比例使用含不饱和基团化合物(a2)。

在丙烯酸类共聚物(a1)与含不饱和基团化合物(a2)的反应中，可以根据官能团与取代基的组合来适当选择反应的温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、催化剂种类。由此，丙烯酸类共聚物(a1)中存在的官能团与含不饱和基团化合物(a2)中的取代基发生反应，不饱和基团被导入至丙烯酸类共聚物(a1)中的侧链，从而得到能量线固化型聚合物(A)。

这样得到的能量线固化型聚合物(A)的重均分子量优选为1万以上，特别优选为15万～150万，进一步优选为20万～100万。需要说明的是，本说明书中的重均分子量(Mw)是使用凝胶渗透色谱法(GPC法)测得的换算为聚苯乙烯的值。

在能量线固化性粘合剂以具有能量线固化性的聚合物为主成分的情况下，能量线固化性粘合剂还可以进一步含有能量线固化性单体和/或低聚物(B)。

作为能量线固化性的单体和/或低聚物(B)，例如可以使用多元醇和(甲基)丙烯酸形成的酯等。

作为上述能量线固化性单体和/或低聚物(B)，可以列举例如：(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等单官能丙烯酸酯类、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯类、聚酯低聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯低聚(甲基)丙烯酸酯等。

在配合能量线固化性单体和/或低聚物(B)的情况下，相对于能量线固化性粘合剂的总质量，能量线固化性粘合剂中的能量线固化性的单体和/或低聚物(B)的含量优选为5～80质量％，特别优选为20～60质量％。

这里，在使用紫外线作为用于使能量线固化性树脂组合物固化的能量线的情况下，优选添加光聚合引发剂(C)，通过使用该光聚合引发剂(C)，能够减少聚合固化时间及光线照射量。

作为光聚合引发剂(C)，具体可以列举：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、安息香双甲醚、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟基环己基苯基甲酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、联苄、丁二酮、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、N,N-二乙基二硫代氨基甲酸2-苯并噻唑酯、低聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。这些化合物可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

相对于能量线固化型共聚物(A)(在配合能量线固化性单体和/或低聚物(B)的情况下，相对于能量线固化型共聚物(A)及能量线固化性单体和/或低聚物(B)的总量100质量份)100质量份，光聚合引发剂(C)的使用量优选在0.1～10质量份、特别优选为0.5～6质量份的范围。

在能量线固化性粘合剂中，除了上述成分以外，还可以适当配合其它成分。作为其它成分，可以列举例如：不具有能量线固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)、交联剂(E)等。

作为不具有能量线固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)，可以列举例如：聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烃等，优选重均分子量(Mw)为3000～250万的聚合物或低聚物。

作为交联剂(E)，可以使用与能量线固化型共聚物(A)等所具有的官能团具有反应性的多官能化合物。作为这种多官能化合物的例子，可以列举例如：异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮杂环丙烷化合物、肼化合物、醛化合物、唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合物化合物、金属盐、铵盐、反应性酚醛树脂等。

通过在能量线固化性粘合剂中配合上述其它成分(D)、(E)，能够改善粘合剂层3在固化前的粘合性及剥离性、固化后的强度、与其它层的粘接性、保存稳定性等。这些其它成分的配合量没有特别限定，相对于能量线固化型共聚物(A)100质量份，可以在0～40质量份的范围适当确定。

接下来，对于能量线固化性粘合剂以不具有能量线固化性的聚合物成分与能量线固化性多官能单体和/或低聚物的混合物为主成分的情况进行说明。

作为不具有能量线固化性的聚合物成分，例如可以使用与上述丙烯酸类共聚物(a1)相同的成分。相对于能量线固化性树脂组合物的总质量，能量线固化性树脂组合物中的不具有能量线固化性的聚合物成分的含量优选为20～99.9质量％，特别优选为30～80质量％。

作为能量线固化性的多官能单体和/或低聚物，可以选择与上述成分(B)相同的成分。不具有能量线固化性的聚合物成分与能量线固化性多官能单体和/或低聚物的配合比如下：相对于聚合物成分100质量份，多官能单体和/或低聚物优选为10～150质量份，特别优选为25～100质量份。

在该情况下，也可以与上述同样地适当配合光聚合引发剂(C)、交联剂(E)。

对于粘合剂层3的厚度而言，只要在使用切割片1的各工序中能够适当发挥功能即可，没有特别限定。具体而言，粘合剂层3的厚度优选为1～50μm，特别优选为2～30μm，进一步优选为3～20μm。

3.剥离片

本实施方式中的剥离片6在直至使用切割片1之前的期间内对粘合剂层3进行保护。本实施方式中的剥离片6直接叠层于粘合剂层3上，但并不限定于此，也可以在粘合剂层3上叠层其它层(芯片焊接膜等)，再在上述其它层上叠层剥离片6。

剥离片6的结构是任意的，可以示例出通过剥离剂等对塑料膜进行剥离处理而得到的膜。作为塑料膜的具体例子，可以列举：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、以及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂，可以使用例如：聚硅氧烷类、含氟类、长链烷基类等，其中，优选廉价且可得到稳定性能的聚硅氧烷类。关于剥离片6的厚度，没有特别限制，通常为20～250μm左右。

4.切割片的制造方法

作为一个例子，为了制造切割片1，在剥离片6的剥离面上涂布粘合剂层用涂布剂并使其干燥而形成粘合剂层3，所述粘合剂层用涂布剂含有构成粘合剂层3的粘合剂，且根据希望还含有溶剂。然后，将基材2压粘于粘合剂层3的露出面，得到由基材2、粘合剂层3及剥离片6构成的切割片1。

本实施方式中的粘合剂层3优选能够粘贴于环状框等夹具。在该情况下，在粘合剂层3由能量线固化性粘合剂构成时，优选不使能量线固化性粘合剂固化。由此，可以较高地保持对环状框等夹具的粘接力。

基材2及粘合剂层3的叠层体可以根据希望实施从第1剥离片或第2剥离片侧切入切断刀或者利用激光照射进行的半切，可以形成希望的形状、例如与工件(半导体晶片)对应的圆形等形状。在该情况下，可以适当除去由半切所产生的多余部分。

5.切割片的使用方法

作为使用本实施方式的切割片1的一个例子，以下对由作为工件的半导体晶片制造芯片的方法进行说明。

首先，将卷成卷状的切割片1送出，如图2所示，将切割片1的粘合剂层3粘贴于半导体晶片7及环状框8。

对于本实施方式的切割片1而言，通过使基材2的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在上述送出时不易发生粘连，因此可以抑制送出不良的情况的发生，可以抑制无法对工件进行粘贴的情况。

然后，得到具备在能够伸长的切割片1的粘合剂层3侧的面上叠层有半导体晶片7的结构的叠层结构体(以下有时称为“叠层结构体L”)。图2所示的叠层结构体L还具备环状框8。

对切割片1实施加热处理。此时的加热温度优选为50～200℃，特别优选为90～150℃，加热时间优选为0.1～10小时，特别优选为1～3小时。在本实施方式的切割片1中，通过所述加热处理，基材2的背面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。

接着，对叠层结构体L进行隐形切割工序。具体而言，将叠层结构体L设置于分割加工用激光照射装置，在检测半导体晶片7的表面的位置之后，隔着切割片1对该半导体晶片7照射激光，在半导体晶片7内形成改性层。然后，通过实施使切割片1伸长的扩片工序对半导体晶片7施加力(主面内方向的拉伸力)。其结果，粘贴于切割片1的半导体晶片7被分割，得到芯片。然后，使用拾起装置从切割片1上拾取芯片。

对于本实施方式的切割片1而言，通过使基材2的背面在加热后的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下，激光透射性优异，因此在上述隐形切割工序中，利用隐形切割进行的工件分割性优异。

6.切割片的其它实施方式

图3是本发明的其它实施方式的切割片的剖面图。如图3所示，本实施方式的切割片1A具备以下部分而构成：基材2、叠层于基材2的一面侧(图1中为上侧)的粘合剂层3、叠层于粘合剂层3的与基材2相反侧的边缘部的夹具用粘合剂层5、以及叠层于粘合剂层3和夹具用粘合剂层5上的剥离片6。夹具用粘合剂层5是用于将切割片1粘接于环状框等夹具的层。剥离片6在直至使用切割片1A之前的期间内对粘合剂层3及夹具用粘合剂层5进行保护。即，在图1所示的切割片1中加入夹具用粘合剂层5的切割片是图3所示的切割片1A。

作为构成夹具用粘合剂层5的粘合剂，优选具有希望的粘合力及再剥离性，可以使用例如丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂、聚氨酯类粘合剂、聚酯类粘合剂、聚乙烯基醚类粘合剂等。其中，作为夹具用粘合剂层5，优选使用与环状框等夹具的密合性高、且在切割工序等中可以有效地抑制切割片1A从环状框等上剥离的丙烯酸类粘合剂。需要说明的是，在夹具用粘合剂层5的厚度方向的内部可以夹有作为芯材的基材。另外，在夹具用粘合剂层5的粘合剂层3侧可以存在基材。

从对环状框等夹具的粘接性的观点考虑，夹具用粘合剂层5的厚度优选为5～200μm，特别优选为10～100μm。

本实施方式的切割片1A中除了夹具用粘合剂层5以外的各构件的材料及厚度等与上述切割片1的各部件的材料及厚度相同。

作为制造切割片1A的一个例子，首先，在剥离片的剥离面上涂布粘合剂层用涂布剂并使其干燥而形成粘合剂层3，所述粘合剂层用涂布剂含有构成粘合剂层3的粘合剂，且根据希望还含有溶剂。然后，将基材2压粘于粘合剂层3的露出面，得到由基材2、粘合剂层3及剥离片构成的叠层体。

这里，在粘合剂层3由能量线固化性粘合剂构成的情况下，可以在该阶段对粘合剂层3照射能量线使粘合剂层3固化，在叠层其它层的情况下，也可以在与其它层叠层之后使粘合剂层3固化。另外，在与其它层叠层之后使粘合剂层3固化时，可以在切割工序前使粘合剂层3固化，也可以在切割工序后使粘合剂层3固化。

作为能量线，通常可使用紫外线、电子束等。能量线的照射量因能量线的种类而不同，例如在紫外线的情况下，以光量计优选为50～1000mJ/cm²，特别优选为100～500mJ/cm²。另外，在电子束的情况下，优选为10～1000krad左右。

基材2及粘合剂层3的叠层体可以根据希望进行半切，形成希望的形状、例如与工件(半导体晶片)对应的圆形等形状。在该情况下，可以适当除去由半切所产生的多余部分。

接着，将上述剥离片从粘合剂层3上剥离，在露出的粘合剂层3的边缘部形成夹具用粘合剂层5。夹具用粘合剂层5也可以通过与上述粘合剂层3相同的方法进行涂布而形成。最后，在粘合剂层3及夹具用粘合剂层5的露出面叠层剥离片6，得到切割片1A。

以上，示出了切割片1A的一个制造方法，但并不限定于此。例如，在夹具用粘合剂层5具有基材的情况下，可以在剥离片上形成构成夹具用粘合剂层5的叠层体之后，半切成与夹具对应的环状等形状，将其叠层于上述粘合剂层3。

以上说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，并用于限定本发明。因此，上述实施方式中公开的各要素包括属于本发明的技术范围的所有设计变更、等效物。

例如，可以在切割片1、1A中的基材2与粘合剂层3之间夹有其它层。另外，也可以在切割片1、1A中的粘合剂层3与剥离片6之间夹有其它层。作为所述其它层，可以列举例如芯片焊接膜。在该情况下，切割片1、1A可以用作切割芯片焊接片。

另外，对于本发明的保护膜形成用复合片而言，将基材2的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)设为0.51～0.65μm左右，在130℃下加热2小时后的算术平均粗糙度(Ra2)设为0.08～0.22左右，而且基材2的130℃下的储能模量设为13～20MPa左右，由此使耐粘连性及切割分割性更加优异。

实施例

以下，通过实施例等更具体地对本发明进行说明，但本发明的范围并不限于这些实施例等。

[实施例1]

在实施例1中，如下所述制造了图1、4所示的切割片1。

(1)叠层体的制作

将以下的(A)及(B)的成分进行混合，并用甲乙酮进行稀释，使得固体成分浓度为30质量％，制备了粘合剂层用涂布剂。

(A)粘合主剂：将(甲基)丙烯酸酯共聚物(丙烯酸丁酯40质量份、丙烯酸2-乙基己酯55质量份及丙烯酸2-羟基乙酯5质量份进行共聚而得到的共聚物，重均分子量：60万)100质量份

(B)交联剂：芳香族类多异氰酸酯化合物(三井化学株式会社制造，Takenate D110N)10质量份

接着，制作乙烯-丙烯共聚物膜，所述乙烯-丙烯共聚物膜的一个面(基材的背面：相当于基材的第2面)在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)及加热后(130℃/2小时)的算术平均粗糙度(Ra2)、熔点以及130℃下的储能模量按照下述表1进行了调整，并对上述膜的另一个面实施电晕处理，将其作为基材。需要说明的是，上述加热前的算术平均粗糙度(Ra1)通过改变在基材成膜时卷取背面侧的金属辊表面的算术表面粗糙度来进行调整。另外，上述加热后的算术平均粗糙度(Ra2)通过改变构成基材的乙烯-丙烯共聚物的乙烯与丙烯的共聚比来进行调整。

准备在厚度38μm的PET膜的一面形成聚硅氧烷类剥离剂层而制成的剥离片(琳得科株式会社制造，SP-PET381031)，用刮刀涂布机在该剥离片的剥离面上涂布上述粘合剂层用涂布剂，使得最终得到的粘合剂层的厚度为10μm，并使其干燥，形成了粘合剂层。然后，将上述基材的电晕处理面叠合于粘合剂层，并使两者贴合，得到了由基材(图1中的基材2)、粘合剂层(图1中的粘合剂层3)和剥离片构成的叠层体。该叠层体为长条，卷取成卷状制成卷状体，然后裁切成宽度方向300mm(图4中以w₁表示)。

(2)切割片的制作

对上述(1)中得到的叠层体，从上述基材侧实施了半切，使得基材及粘合剂层的叠层体被切断。具体而言，如图4所示，形成圆形(直径d₁：270mm；图4中的符号401；圆形的切割片主体)，同时形成了从该圆形起在外侧有20mm的间隔(图4中以w₂表示)的圆弧(图4中的符号402)。另外，在相邻的圆形彼此之间形成与叠层体的宽度方向端部平行的2根直线(图4中的符号403)，用上述直线连结相邻的上述圆弧。

然后，将上述圆形的切割片主体与上述圆弧之间的部分及由上述2条直线包夹的部分去除，得到了图1、4所示的切割片。

[实施例2～5及比较例1～3]

将基材的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)及加热后的算术平均粗糙度(Ra2)、熔点及130℃下的储能模量按照下述表1所示进行变更，除此以外，与实施例1同样地制造了实施例2～5及比较例1～3的切割片。

[试验例1]＜基材的算术平均粗糙度的测定＞

使用接触式表面粗糙度测量仪(MITUTOYO公司制造，SURFTESTSV-3000)，将截止值λc设为0.8mm，将评价长度Ln设为4mm，按照JISB0601：2001对实施例和比较例中使用的基材的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1：μm)及加热后的算术平均粗糙度(Ra2：μm)进行了测定。将该结果示于下述表1。

这里，对于加热后的算术平均粗糙度(Ra2)而言，在将具备上述基材的实施例和比较例的切割片固定于环状框的状态下，在烘箱内于大气氛围中在130℃下加热2小时，然后放置，测定冷却至室温后的值。在该加热处理时，使测定面(基材的背面)不与烘箱内的内壁、底部接触。

[试验例2]＜基材的熔点的测定＞

对于实施例及比较例中使用的基材，使用差示扫描热量仪(TAInstruments公司制造，Q2000)，按照JIS K7121(ISO3146)求出熔融峰值温度。具体而言，将基材以每分钟10℃从23℃加热至200℃，描绘DSC曲线。由得到的升温时的DSC曲线求出熔融峰值温度(℃)。将该结果示于下述表1。

[试验例3]＜基材的储能模量的测定＞

对于实施例及比较例中使用的基材，用下述装置及条件测定了130℃下的储能模量。将该结果示于下述表1。

测定装置：TA Instruments公司制造，动态弹性模量测定装置“DMAQ800”

试验开始温度：0℃

试验结束温度：200℃

升温速度：3℃/分钟

频率：11Hz

振幅：20μm

[试验例4]＜光线透射率的测定＞

将实施例及比较例中使用的基材如试验例1所示在130℃下加热2小时后，对上述加热后的基材使用紫外可见光分光光度计(株式会社岛津制作所制造，UV-3101PC，不使用积分球)测定波长200～1200nm的光线透射率，读取波长1064nm的测定值。将该结果示于下述表1。

[试验例5]＜耐粘连性评价＞

将实施例及比较例中制造的切割片设置于粘贴装置(琳得科株式会社制造，RAD-2700F/12)，以辊对辊的方式在70℃的环境下将切割片主体对硅晶片(外径：8英寸，厚度：100μm)及环状框(不锈钢制)进行了粘贴。此时，连续进行10片粘贴操作，并基于下述基准评价耐粘连性。将该结果示于下述表1。

A：能够没有问题地进行粘贴(完全不发生粘连)。

B：能够进行粘贴，但基材与基材背面侧的剥离片局部密合，在送出切割片时，剥离片从粘合剂层上部分剥离。

C：发生至少1片切割片转移至基材背面侧的剥离片、或切割片无法送出等粘贴不良的情况(发生粘连)。

[试验例6]＜切割分割性评价＞

将实施例及比较例中制造的切割片设置于粘贴装置(琳得科株式会社制造，RAD-2700F/12)，在70℃的环境下将切割片主体对硅晶片(外径：8英寸，厚度：100μm)及环状框(不锈钢制)进行粘贴。然后，在130℃下进行2小时的加热处理。

接着，使用激光切割机(DISCO公司制造，DFL7360)对切割片上的硅晶片进行了包括以下工序的利用隐形切割进行的分割加工。

(工序1)以能够从基材背面侧照射激光的方式将粘贴有实施例及比较例的切割片的硅晶片及环状框设置于激光切割机的给定位置。

(工序2)对硅晶片的表面的位置进行检测，然后设定激光切割机的激光的焦点位置，沿着设定为能够在硅晶片上形成9mm×9mm的芯片体的切断预定线，从基材背面侧照射10次来自激光切割机的波长1064nm的激光，在硅晶片内形成改性层。

(工序3)将粘贴有切割片的硅晶片及环状框设置于芯片分割机(dieseparator)(DISCO公司制造，DDS2300)，以牵拉速度100mm/秒、扩片量10mm的条件进行扩片。

通过以上工序，将内部形成了改性层的硅晶片的至少一部分沿分割预定线进行分割，得到了多个芯片。基于此时的分割率(＝(实际上分割得到的芯片数/预定分割得到的芯片数)×100)(％)，按照下述基准评价了切割分割性。将该结果示于下述表1。

A：芯片分割率为100％(分割性优良)

B：芯片分割率为90％以上且低于100％(具有允许的分割性)

C：芯片分割率为80％以上且低于90％(具有允许的分割性)

D：芯片分割率低于80％(不具有允许的分割性)

表1

由表1得知，基材的背面在加热前的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上、且基材的背面在130℃下加热2小时后的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下的实施例的切割片的耐粘连性优异，而且切割分割性也优异。

工业实用性

本发明的切割片适用于包括隐形切割等以透射基材的方式照射激光的工序的情况。