1.一种导电糊剂，其含有：
作为热固化性成分的热固化性化合物和热固化剂、以及
多个焊锡粒子，
导电糊剂在所述焊锡粒子熔点-80℃的温度下的粘度与导电糊剂在所述焊锡粒子熔点-30℃的温度下的粘度之比为1.5以上、4以下。
2.如权利要求1所述的导电糊剂，其中，
导电糊剂的显示最低熔融粘度的温度存在于所述焊锡粒子熔点-30℃的温度以上、所述焊锡粒子的熔点+20℃的温度以下的温度区域。
3.如权利要求1或2所述的导电糊剂，其中，
所述热固化性化合物含有25℃下为固体的热固化性化合物。
4.如权利要求1～3中任一项所述的导电糊剂，其中，
所述焊锡粒子的平均粒径为1μm以上、40um以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的导电糊剂，其中，
所述焊锡粒子的含量为10重量％以上、90重量％以下。
6.一种连接结构体，其包括：
表面具有至少一个第一电极的第一连接对象部件、
表面具有至少一个第二电极的第二连接对象部件、
将所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件连接在一起的连接部，
所述连接部的材料为权利要求1～5中任一项所述的导电糊剂，
所述第一电极和所述第二电极通过所述连接部中的焊锡部实现了电连接。
7.如权利要求6所述的连接结构体，其中，
所述第二连接对象部件为半导体芯片、树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁平线缆或刚挠结合基板。
8.如权利要求6或7所述的连接结构体，其中，
沿所述第一电极、所述连接部以及所述第二电极的叠层方向观察所述第一电极和所述第二电极相互对置的部分时，在所述第一电极和所述第二电极相互对置的部分的面积100％中的50％以上配置有所述连接部中的焊锡部。
9.如权利要求6～8中任一项所述的连接结构体，其中，
沿着与所述第一电极、所述连接部以及所述第二电极的叠层方向垂直的方向观察所述第一电极和所述第二电极相互对置的部分时，在所述第一电极和所述第二电极相互对置的部分配置有所述连接部中的焊锡部的70％以上。
10.一种连接结构体的制造方法，其包括：
使用权利要求1～5中任一项所述的导电糊剂在表面具有至少一个第一电极的第一连接对象部件的表面上配置所述导电糊剂的工序；
在所述导电糊剂的与所述第一连接对象部件侧相反的表面上，配置表面具有至少一个第二电极的第二连接对象部件，并使得所述第一电极和所述第二电极对置的工序；
将所述导电糊剂加热至所述焊锡粒子的熔点以上且所述热固化性成分的固化温度以上，由此通过所述导电糊剂形成连接所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件的连接部，并且通过所述连接部中的焊锡部将所述第一电极和所述第二电极进行电连接的工序。
11.如权利要求10所述的连接结构体的制造方法，其中，
在所述配置第二连接对象部件的工序及所述形成连接部的工序中，对所述导电糊剂施加所述第二连接对象部件的重量，而不进行加压，或者，
在所述配置第二连接对象部件的工序及所述形成连接部的工序中的至少一个工序中，进行加压，并且，在所述配置第二连接对象部件的工序及所述形成连接部的工序这两个工序中，加压的压力低于1MPa。
12.如权利要求10或11所述的连接结构体的制造方法，其中，
所述第二连接对象部件为半导体芯片、树脂膜、挠性印刷基板、挠性扁平线缆或刚挠结合基板。
13.如权利要求10～12中任一项所述的连接结构体的制造方法，其中，
得到如下的连接结构体，该连接结构体在沿所述第一电极、所述连接部以及所述第二电极的叠层方向观察所述第一电极和所述第二电极相互对置的部分时，在所述第一电极和所述第二电极相互对置的部分的面积100％中的50％以上配置有所述连接部中的焊锡部。
14.如权利要求10～13中任一项所述的连接结构体的制造方法，其中，
得到如下的连接结构体，该连接结构体在沿着与所述第一电极、所述连接部以及所述第二电极的叠层方向垂直的方向观察所述第一电极和所述第二电极相互对置的部分时，在所述第一电极和所述第二电极相互对置的部分配置有所述连接部中的焊锡部的70％以上。