技术特征：
技术总结
本发明提供一种绝缘层上顶层硅衬底的制造方法，包括：提供一第一半导体衬底；于该第一半导体衬底的顶面形成一第一绝缘层；对该第一半导体衬底表面进行离子束注入，以便在距离该第一绝缘层的顶面的预定深度处形成一重氢与氦气掺杂层；提供一第二半导体衬底；于该第二半导体衬底的顶面形成一第二绝缘层；将该第一半导体衬底面对面地接合于该第二半导体衬底；对该第一半导体衬底以及该第二半导体衬底进行退火；以及将部分的第一半导体衬底与该第二半导体衬底分离，以便形成一掺杂有重氢与氦气的半导体层于该第二半导体衬底上。
技术研发人员：肖德元
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.03.03
技术公布日：2017.09.12