技术特征：
技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与之相对的第二表面，在所述第一衬底的第一表面一侧形成有功能材料层，在所述功能材料层内形成有晶体管和第一互连结构；形成内嵌于所述功能材料层表面的第一顶部金属层、第二顶部金属层和第三顶部金属层，所述第一顶部金属层与所述第一互连结构电连接；提供第二衬底，将第二衬底与所述功能材料层相接合；从所述第二表面一侧对所述第一衬底进行减薄处理；同时形成第二金属层和导电插塞，并且所述第二金属层与所述第二顶部金属层电连接，所述导电插塞与所述第三顶部金属层电连接。所述方法工艺步骤更加简单，提高了器件的性能和良率。
技术研发人员：李海艇;黄河;朱继光
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.04.11
技术公布日：2017.10.24