有机发光二极管显示器的制作方法

文档序号:12370243阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种有机发光二极管显示器,包括:

基底;

位于所述基底上的薄膜晶体管;

位于所述薄膜晶体管上并电联接至所述薄膜晶体管的第一电极;

位于所述第一电极上的有机发射层;

位于所述有机发射层上的第二电极;以及

位于所述第二电极上的覆盖层,

其中所述第二电极的厚度为65埃至125埃,并且

其中所述覆盖层的厚度为500*1.88/n埃至700*1.88/n埃,n是所述覆盖层的光学常数。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中n与530纳米的波长相对应。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中n在530纳米的波长下为1.88。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述覆盖层的厚度为500埃至700埃。

5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中n在530纳米的波长下为2.07。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述覆盖层的厚度为454埃至700埃。

7.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中n在530纳米的波长下为2.36。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述覆盖层的厚度为398埃至557埃。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第二电极包括选自Ag、Yb、Mg和Al的至少一种。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述第二电极的厚度为95埃至105埃。

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