一种无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器的制作方法

技术特征：

1.一种无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器，其结构为:自GaSb衬底(6)向上依次是超晶格长波N型接触层(1)、超晶格空穴势垒层(2)、超晶格长波吸收区(3)、超晶格中波电子势垒层(4)和超晶格长波P型接触层(5)，上电极TiPtAu(7)位于超晶格长波P型接触层(5)上，下电极TiPtAu(8)位于GaSb衬底(6)上，其特征在于：

所述的超晶格长波N型接触层(1)的结构为20-80周期长波超晶格，每周期由4-6nm InAs和2-4nm GaSb构成，N型掺杂浓度为10¹⁶-10¹⁷cm^-3；

所述的超晶格空穴势垒层(2)的结构为20-80周期中波超晶格，每周期由2-3nm InAs和1-2nm GaSb构成，N型掺杂浓度为10¹⁵-2×10¹⁶cm^-3；

所述的超晶格长波吸收区(3)的结构为100-800周期长波超晶格，每周期由4-6nm InAs和2-4nm GaSb构成，P型掺杂浓度为10¹⁵-10¹⁶cm^-3；

所述的超晶格中波电子势垒层(4)的结构为20-80周期中波超晶格，每周期由2-3nm InAs和2-4nm GaSb构成，P型掺杂浓度为10¹⁵-10¹⁶cm^-3；

所述的超晶格长波P型接触层(5)的结构为20-80周期长波超晶格，每周期由4-6nm InAs和2-4nm GaSb构成，P型掺杂浓度为10¹⁶-10¹⁷cm^-3。