技术总结
本发明公开了一种无铝型II类超晶格双势垒长波红外探测器，其具体结构为GaSb衬底向上依次为超晶格长波N型接触层、超晶格空穴势垒层、超晶格长波吸收区、超晶格中波电子势垒层和超晶格长波P型接触层，上电极TiPtAu位于超晶格长波N型接触层上，下电极TiPtAu位于超晶格长波P型接触层上。本发明公开的结构利用无铝型双势垒的设计和引入获得暗电流小、探测率高，信噪比大的长波超晶格红外探测器。
技术研发人员：周易;陈建新;王芳芳;徐志成
受保护的技术使用者：中国科学院上海技术物理研究所
技术研发日：2016.05.25
技术公布日：2018.07.06