1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
沟槽，其从半导体基板的表面朝向背面延伸，并且在对所述表面进行俯视观察时在预定方向上延伸；
栅绝缘膜，其对所述沟槽的底面和侧面进行覆盖；
第一导电型的载流子注入区，其与所述沟槽的所述表面侧的侧面相接，并且在沿着所述预定方向观察时间断地出现，
第一导电型的漂移区，其与所述沟槽的所述底面以及所述背面侧的侧面相接，并且沿着所述预定方向而连续地存在；
第二导电型的体区，其处于所述第一导电型的载流子注入区与所述第一导电型的漂移区之间并将两者分离，并且在沿着所述预定方向观察时填充所述载流子注入区彼此之间的间隙；
栅电极，其存在于底面和侧面被所述栅绝缘膜所覆盖的所述沟槽内，
在沿着所述预定方向观察时，和隔着所述栅绝缘膜而与所述载流子注入区对置的位置处的所述栅电极的表面侧端面相比，在所述间隙中隔着所述栅绝缘膜而与所述体区对置的位置处的所述栅电极的至少一部分的表面侧端面向背面侧位移。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在将所述栅电极隔着所述栅绝缘膜而与所述载流子注入区对置的位置处的所述栅电极的表面侧端面设为第一端面，将所述表面侧端面向背面侧位移了的位置处的所述表面侧端面设为第二端面时，
与所述载流子注入区的背面侧端面相比，所述第一端面处于表面侧，所述第二端面处于背面侧。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
在将所述表面侧端面向背面侧位移了的位置处的所述表面侧端面设为第二端面时，
与所述体区的背面侧端面相比，所述第二端面处于表面侧。
4.如权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
在将沿着所述半导体基板的表面并且互相正交的方向设为xy方向时，
所述沟槽具备沿x方向延伸的部分和沿y方向延伸的部分，
所述载流子注入区在沿y方向延伸的部分处与所述栅绝缘膜相接，
与沿所述y方向延伸的部分处的所述栅电极的表面侧端面相比，沿所述x方向延伸的部分处的所述栅电极的表面侧端面向背面侧位移。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
与沿所述y方向延伸的部分处的所述沟槽的宽度相比，沿所述x方向延伸的部分处的所述沟槽的宽度较宽。
6.如权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其中，
在所述沟槽的一部分处形成有从宽大部渐变为狭窄部的渐变部，
所述栅电极的所述表面侧端面在所述宽大部处处于背面侧，在所述狭窄部处处于表面侧，且在所述渐变部处从前者渐变为后者，
在所述狭窄部处向表面侧位移了的所述栅电极的所述表面侧端面上连接有延伸到所述沟槽的外部的栅极配线。