技术总结
本发明提供一种在不使半导体装置的特性降低的条件下使栅极输入电量减小的技术。在半导体装置中，发射区与第一沟槽部分(611)内的栅绝缘膜(62)接触。体区(23)与第二沟槽部分(612)内的栅绝缘膜(62)接触。第二沟槽部分(612)内的栅电极(63)的端面(63b)位于与第一沟槽部分(611)内的栅电极(63)的端面(63a)相比靠半导体基板的背面(10b)侧处。
技术研发人员：添野明高
受保护的技术使用者：丰田自动车株式会社
文档号码：201610362078
技术研发日：2016.05.26
技术公布日：2016.12.07