有机发光二极管显示器的制作方法

文档序号:12370249阅读:来源:国知局

技术特征:

1.有机发光二极管显示器,包括:

衬底;

在所述衬底上的有机发光二极管;

在所述有机发光二极管上并且包括高折射层的覆盖层,所述高折射层包含折射率等于或大于1.7且等于或小于6.0的无机材料;以及

覆盖所述覆盖层和所述有机发光二极管的薄膜封装层,并且

其中所述无机材料包括选自CuI、TlI、BaS、Cu2O、CuO、BiI、WO3、TiO2、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、PbI2、BiI3、ZnI2、MoO3、Ag2O、CdO、CoO、Pr2O3、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb组成的组中的至少一种。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:

所述覆盖层包括直接在所述薄膜封装层下方的顶层,所述薄膜封装层包括直接在所述覆盖层上的基层;以及

所述顶层和所述基层具有彼此不同的折射率。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中:

所述薄膜封装层包括在所述基层上的第一封装层、在所述第一封装层上的第二封装层和在所述第二封装层上的第三封装层;以及

所述第一封装层为无机层;所述第二封装层为有机层;以及所述第三封装层为无机层。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述基层包含选自LiF、SiOx、SiC、MgF2、AlF3和NaF组成的组中的至少一种。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一封装层包含选自SiON、TiO2和SiNx组成的组中的至少一种。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述第三封装层包含选自SiON、SiNx和TiO2组成的组中的至少一种。

7.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述覆盖层还包括包含折射率等于或大于1.0且等于或小于1.7的无机材料的低折射层。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述低折射层在所述高折射层与所述有机发光二极管之间。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其中所述低折射层包含包括卤素化合物的无机材料。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其中所述低折射层包含选自MgF2、LiF、AlF3和NaF组成的组中的至少一种。

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