1.一种LED芯片，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；
第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；
第二通孔，所述第二通孔位于所述发光结构内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；
DBR层，所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化镓层表面，其中，位于所述P型氮化镓层表面的DBR层具有图形化；
欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述P型氮化镓层和所述DBR层表面；
电极结构，所述电极结构包括：位于所述欧姆接触层表面的P型电极和位于所述N型氮化镓层表面且完全填充所述第二通孔的N型电极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P型电极在所述P型氮化镓层上的DBR层的垂直投影上。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述P型电极的面积小于等于所述P型氮化镓层上的DBR层的面积。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P型电极和N型电极的材料为Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一种或几种合金。