技术总结
本发明提出了一种多路径电感结构及其制造方法，在形成多路径电感结构时，不对其进行刻蚀分开，形成半刻蚀结构和连接结构，由于半刻蚀结构的底部相连，连接结构则不进行任何刻蚀，从而半刻蚀结构使得每条导电路径的电流分布均匀，而连接结构除进一步增加了每条导电路径电流分布的均匀性外，还降低了直流电阻，从而提高了多路径电感结构的性能，增加所有频率下的Q值以及自谐振频率fSR。
技术研发人员：黎坡
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610596380
技术研发日：2016.07.27
技术公布日：2017.05.17