技术总结
本发明公开了一种超结器件，包括：相互隔开的栅极结构一和栅极结构二；栅极结构一包括栅介质层一和电极材料一，栅极结构二包括栅介质层二和电极材料二；电极材料一连接到栅极；电极材料二连接到源极；栅极结构一形成沟道一的阈值电压一大于栅极结构二形成沟道二的阈值电压二；超结器件正向导通时，栅极所加的电压大于阈值电压一，沟道一导通，沟道二截止，寄生体二极管截止；超结器件反向导通时，栅极所加的电压小于阈值电压一，沟道一截止，寄生体二极管正向导通，阈值电压二要求小于寄生体二极管的正向导通压降，沟道二导通，通过沟道二导通减少N型柱表面区域的空穴浓度，从而降低超结器件的最大反向恢复电流。
技术研发人员：曾大杰
受保护的技术使用者：上海鼎阳通半导体科技有限公司
文档号码：201610664915
技术研发日：2016.08.12
技术公布日：2016.12.14