薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置与流程

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

目前常用的平板显示装置包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display：简称LCD)和OLED(Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)显示装置，不管是液晶显示装置还是OLED显示装置中均包括有阵列基板，阵列基板中设置有多条栅线和多条数据线，栅线和数据线交叉设置，限定出像素单元，在每个像素单元中均设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor：简称TFT)，薄膜晶体管包括三个电极，即栅极、源极和漏极；其中，栅极连接栅线，源极连接数据线，漏极连接显示电极(液晶显示装置的像素电极；OLED显示装置中OLED器件的阳极)。

在阵列基板的制备工艺中，通常情况下数据线是与薄膜晶体管的源极和漏极在一次构图工艺中制备的，但是由于曝光机的精度有限，所以导致所形成的漏极与数据线之间的间距受到了限制，从而导致阵列基板上的像素尺寸较大，进而使得阵列基板分辨率受限。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种可以有效提高像素分辨率的薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在基底上方形成半导体材料层，并通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管的有源层和漏极图案的图形；

对所述漏极图案进行退火，以形成薄膜晶体管漏极的图形。

优选的是，在形成所述薄膜晶体管有源层之前还包括：

在基底上通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的栅极的图形，以及形成栅极绝缘层的步骤。

优选的是，在形成所述薄膜晶体管有源层之后还包括：

通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的源极的图形，所述源极与所述有源层的源极接触区连接。

优选的是，在形成所述薄膜晶体管的源极的同时还包括：在薄膜晶体管的有源层的漏极接触区形成沟道限定块的图形，所述沟道限定块与源极限定所述有源层的沟道区域。

优选的是，在形成所述薄膜晶体管的有源层之后还包括：

形成栅极绝缘层，以及通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的栅极的图形的步骤。

优选的是，所述半导体材料层的材料为非晶硅。

优选的是，在形成所述漏极之后还包括：

对所述漏极进行离子注入的步骤。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法包括上述的薄膜晶体管的制备方法。

优选的是，所述阵列基板的制备方法还包括：在形成所述漏极的基底上形成钝化层，并在所述钝化层中刻蚀过孔；

通过构图工艺，形成包括显示电极的图形。

优选的是，在形成所述薄膜晶体管的有源层之后还包括：

通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的源极和与所述源极连接的数据线的图形，所述源极与所述有源层的源极接触区连接。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，其包括有源层和漏极；其中，所述漏极与所述有源层二者连接且同层设置；所述漏极的材料为对所述有源层的材料进行退火得到。

优选的是，所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层的漏极接触区上方的沟道限定块，所述沟道限定块与源极限定所述有源层的沟道区域。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括上述薄膜晶体管。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。

本发明中所提供的薄膜晶体管的制备方法，将漏极与有源层形成在同一层，而漏极与源极分层设置，也即将漏极与阵列基板上的数据线分层设置，从而可以缩小漏极与数据线之间的间距，此时可以有效的改善曝光机的精度对阵列基板上像素分辨率的限制。

附图说明

图1为本发明的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的流程图；

图2为本发明的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤三图；

图3为发明的实施例1、2的阵列基板的平面示意图；

图4为图3的A-A＇的剖视图；

图5为本发明的实施例1的阵列基板的制备方法的流程图。

其中附图标记为：100、基底；1、栅极；11、栅线；2、栅极绝缘层；3、有源层；31、漏极图案；4、源极；41、数据线；5、漏极；6、钝化层；7、显示电极。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

在此需要说明的是，在以下实施例中构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。

实施例1：

结合图1、3、4所示，本实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，其中，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。而顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管的区别在于薄膜晶体管的栅极1和有源层3相对位置关系，其中，顶栅型薄膜晶体管的栅极1位于有源层3上方，底栅型薄膜晶体管的栅极1位于有源层3下方。在本实施例中以制备底栅型薄膜晶体管为例进行说明。该薄膜晶体管的制备方法具体包括如下步骤：

步骤一、在基底100上通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的栅极1的图形。

在该步骤中，基底100采用玻璃等透明材料制成、且经过预先清洗。具体的，在基底100上采用溅射方式、热蒸发方式、等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Vapor Deposition：简称PECVD)方式、低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition：简称LPCVD)方式、大气压化学气相沉积(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition：简称APCVD)方式或电子回旋谐振化学气相沉积(Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition:简称ECR-CVD)方式形成栅金属薄膜，然后采用掩模板，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的栅极1的图形。

其中，栅金属薄膜的材料为金属、金属合金，如：钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜等导电材料形成。

步骤二、在完成步骤一的基底100上，形成栅极绝缘层2。

在该步骤中，采用等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式或溅射方式在栅极1上方形成栅极绝缘层2。

步骤三、在完成步骤二的基底100上，形成半导体材料层，并通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管的有源层3和漏极图案31的图形；对所述漏极图案31进行退火，以形成薄膜晶体管漏极5的图形，如图2所示。

在该步骤中，首先，采用等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式沉积半导体材料层，半导体材料层的材料优选为非晶硅；然后，通过一次构图工艺形成有源层3和漏极图案31的图形，有源层3和漏极图案31是一体成型结构；接下来，采用微透镜阵列(Micro Lens Array；MLA)对漏极图案31进行选择性激光退火，以使非晶硅的漏极图案31转变成多晶硅漏极5。

进一步的，为了增强漏极5导电能力还可以包括：对多晶硅漏极5进行离子注入。离子注入方式包括具有质量分析仪的离子注入方式、不具有质量分析仪的离子云式注入方式、等离子注入方式或固态扩散式注入方式。

步骤四、在完成步骤三的基底100上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的源极4的图形，该源极4与所形成的有源层3的源极接触区接触。其中，在该步骤中还可以在薄膜晶体管的有源层3的漏极接触区形成沟道限定块的图形，该沟道限定块与源极4来限定有源层3的沟道。

在该步骤中，采用溅射方式、热蒸发方式、等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式形成源漏金属薄膜，然后采用掩模板，采用一次构图工艺形成薄膜晶体管的源极4以及沟道限定块的图形。

其中，源漏金属薄膜的材料为金属、金属合金，如：钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛或铜等导电材料形成。

至此完成了底栅型薄膜晶体管的制备。若制备顶栅型薄膜晶体管，此时则需要将有源层3和栅极1的制备顺序进行调整。

本实施例中所提供的薄膜晶体管的制备方法，将漏极5与有源层3形成在同一层，而漏极5与源极4分层设置，也即将漏极5与阵列基板上的数据线41分层设置，从而可以缩小漏极5与数据线41之间的间距，此时可以有效的改善曝光机的精度对阵列基板上像素分辨率的限制。

相应的，结合图5所示，在本实施例中还提供了一种阵列基板的制备方法，其包括上述制备薄膜晶体管的步骤。其中，在步骤一中形成栅极1的同时还形成有栅线11的图形；在步骤四中形成薄膜晶体管源极4的同时还形成有源极4连接的数据线41的图形。之后还包括：

步骤五、在形成步骤四的基底100上，形成钝化层6，采用一次构图工艺，在钝化层6中对应着漏极5的区域形成过孔。

在该步骤中，钝化层6可采用等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式沉积形成，钝化层6可采用单层的氧化硅材料或者氧化硅材料、氮化硅材料形成多个子层的叠层。然后，通过构图工艺，形成包括钝化层6的图形，并在对应着漏极5的区域形成钝化层6过孔。

步骤六、在完成步骤五的基底100上，通过构图工艺形成包括显示电极7的图形。其中，如果该阵列基板为液晶显示装置中所用的基板时，该显示电极7为像素电极；如果该阵列基板为OLED显示装置中所用的基板时，该显示电极7为OLED器件的阳极。

在该步骤中，采用溅射方式、热蒸发方式或等离子体增强化学气相沉积方式、低压化学气相沉积方式、大气压化学气相沉积方式或电子回旋谐振化学气相沉积方式沉积导电金属膜。其中，导电金属膜100具有高反射率并且满足一定的金属功函数要求，常采用双层膜或三层膜结构：比如ITO(氧化铟锡)/Ag(银)/ITO(氧化铟锡)或者Ag(银)/ITO(氧化铟锡)结构；或者，把上述结构中的ITO换成IZO(氧化铟锌)、IGZO(氧化铟镓锌)或InGaSnO(氧化铟镓锡)。当然，也可以采用具有导电性能及高功函数值的无机金属氧化物、有机导电聚合物或金属材料形成，无机金属氧化物包括氧化铟锡或氧化锌，有机导电聚合物包括PEDOT:SS、PANI，金属材料包括金、铜、银或铂。然后，通过构图工艺，形成包括显示电极7的图形，显示电极7通过有机层过孔和钝化层6过孔与漏极5电连接

如果该阵列基板为OLED显示装置中所用的基板时，在上述阵列基板的结构基础上，进一步制备像素限定层(Pixel Define Layer，简称PDL)，接着蒸镀或者涂覆发光层(Emitting Layer：简称EL)，最后溅射或蒸镀形成金属阴极层，经封装即可形成带有OLED器件的阵列基板。

实施例2：

本实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置，其中薄膜晶体管和阵列基板均是采用实施例1中的制备方法制备的。本实施例的显示装置包括该阵列基板。

其中，以底栅型薄膜晶体管为例，对本实施例中的薄膜晶体管的结构进行描述。该薄膜晶体管包括：设置在基底上的栅极、位于栅极所在层上方的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层上方的有源层和漏极，漏极与有源层二者连接且同层设置；漏极的材料为对有源层材料进行退火得到；位于有源层和漏极所在层上方的源极。

优选的，该薄膜晶体管还包括位于有源层的漏极接触区上方的沟道限定块，该沟道限定块与源极限定有源层的沟道区域。

其中，显示装置可以为液晶显示装置或者电致发光显示装置，例如液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本实施例中的显示装置具有较高的分辨率。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。