显示基板的制作方法、显示基板和显示装置与流程

本公开至少一实施例涉及一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置。

背景技术：

通常技术中，显示基板中包括多个绝缘层，在制作绝缘层图形(绝缘层的过孔)时，容易产生静电，而静电易对金属结构造成不良。

技术实现要素：

本公开的至少一实施例涉及一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置，以避免在显示基板的制作过程中静电荷导致的不良的发生。

本公开的至少一实施例提供一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成第一金属图形；

在所述第一金属图形上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二金属图形；

在所述第二金属图形上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第一导电层；

对所述第一导电层进行构图形成第一导电图形；

对所述第二绝缘层进行构图形成第二绝缘图形；其中，

所述第一金属图形在所述衬底基板上的正投影和所述第二金属图形在所述衬底基板上的正投影具有重叠部分；

在对所述第二绝缘层进行构图的过程中，所述第一导电图形在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述重叠部分。

本公开的至少一实施例提供一种显示基板，采用本公开至少一实施例提供的方法形成。

本公开的至少一实施例提供一种显示装置，包括本公开至少一实施例提供的显示基板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1a为一种显示基板区域划分；

图1b为显示基板的周边区域的局部示意图；

图2为本公开实施例1提供的一种显示基板的制作方法流程图；

图3A-3M为本公开实施例1提供的一种显示基板的制作方法示意图，左边为沿图1b中A-B的剖视图，右边为沿图1b中C-D的剖视图；

图4A、4B、4C为本公开实施例2提供的包括第四绝缘图形的显示基板的制作方法部分步骤的示意图；

图5为显示基板以及显示基板的显示区示意图；

图6A-6L为本公开实施例3提供的一种显示基板的制作方法示意图，左边为沿图5中E-F的剖视图，右边为沿图5中G-H的剖视图；

图7为本公开实施例4提供的方法形成的设置有第四绝缘层的显示基板；

图8为本公开实施例6提供的方法形成的另一种显示基板。

附图标记：

001-显示区；002-周边区；100-衬底基板；101-第一金属图形；102-第二金属图形；103-(周边区域的)重叠部分；1030-(显示区域的)重叠部分；1011-第一端；1021-第二端；111-栅极绝缘层；111-第一绝缘层；112-第二绝缘层；113-第一导电层；114-第一光刻胶层；1140-第一光刻胶图形；1130-第一导电图形；1131-第一导电图形中的第一覆盖部；1132-第一导电图形中的第一导电部；1120-第二绝缘图形；1110-第一绝缘图形；1150-第二光刻胶图形；116-第三绝缘层；1160-第三绝缘图形；1170-第二导电图形；1171-第一连接结构；1180-第四绝缘图形；119-有源层；1012-栅线；1013-栅极；1022-数据线；119-有源层；1023-源极；1024-漏极；1172-第二连接结构；1173-第二电极；1133-第二覆盖部；1134-第一电极；131-像素电极；132-公共电极；0010-子像素。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

例如，通常的显示基板可包括形成在衬底基板的多个金属层，多个金属层中的金属图形中在垂直于衬底基板的方向上会具有重叠区域，而在后续的绝缘层过孔的制作过程中，产生的静电会对已有的金属结构尤其是重叠区域造成影响，例如击穿两个金属层例如重叠区域的金属层之间的绝缘层，从而产生不良。例如，多个金属层包括SD层和gate层。SD层例如包括数据线、源极和漏极中的至少一个或与数据线、源极和漏极中的至少一个同层形成的金属结构，gate层例如包括栅极和栅线中的至少一个或与栅极和栅线中的至少一个同层形成的金属结构，但不限于此。SD层和gate层中存在上述重叠区域，从而易有因静电带来的不良产生。

本公开的至少一实施例提供一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成第一金属图形；

在第一金属图形上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层上形成第二金属图形；

在第二金属图形上形成第二绝缘层；

在第二绝缘层上形成第一导电层；

对第一导电层进行构图形成第一导电图形；

对第二绝缘层进行构图形成第二绝缘图形；其中，

第一金属图形在衬底基板上的正投影和第二金属图形在衬底基板上的正投影具有重叠部分；

在对第二绝缘层进行构图的过程中，第一导电图形在衬底基板上的正投影至少覆盖重叠部分。

本公开的至少一实施例提供一种显示基板的制作方法，可以避免在显示基板的制作过程中静电荷导致的不良的发生。

如图1a所示，通常显示基板包括显示区001和设置在显示区001至少一侧的周边区002，图1a中以周边区002围绕显示区001设置为例进行说明，但不限于此。本实施例的方法适用于显示区001和周边区002至少之一。周边区因为布线更加密集，在绝缘图形(绝缘层过孔)制作过程中更易产生静电，效果也更明显。

以下根据几个具体的实施例进行说明。

实施例1

图1b中示出了周边区域002内的部分区域的平面示意图，图1b中在衬底基板100上设置有第一金属图形101和第二金属图形102，第一金属图形101和第二金属图形102之间绝缘设置，例如可在第一金属图形101所在的层和第二金属图形102所在的层之间设置有绝缘层。第一金属图形101在衬底基板100上的投影和第二金属图形102在衬底基板100上的投影存在重叠部分103。在显示基板的制作方法中，重叠部分103位置处易因静电引起不良产生。

如图2、图3A、3D-3E所示，本实施例提供一种显示基板的制作方法，包括如下步骤。

如图3A所示，在衬底基板100上形成第一金属图形101；在第一金属图形101上形成第一绝缘层111；在第一绝缘层111上形成第二金属图形102；在第二金属图形102上形成第二绝缘层112；在第二绝缘层112上形成第一导电层113。

如图3D所示，对第一导电层113进行构图形成第一导电图形1130。

如图3E所示，对第二绝缘层112进行构图形成第二绝缘图形1120。

如图3E所示，第一金属图形101在衬底基板100上的正投影和第二金 属图形102在衬底基板100上的正投影具有重叠部分103。

在对第二绝缘层112进行构图的过程中，第一导电图形1130在衬底基板100上的正投影至少覆盖重叠部分103。

因在对第二绝缘层112进行构图的过程中，第一导电图形1130在衬底基板100上的正投影至少覆盖重叠部分103，从而第一导电图形1130可以分散对第二绝缘层112进行构图的过程中产生的静电荷，避免产生因静电荷带来的不良。

如图3F所示，一些示例中，还包括对第一绝缘层111进行构图形成第一绝缘图形1110，在对第一绝缘层111进行构图的过程中，第一导电图形1130在衬底基板100上的正投影至少覆盖重叠部分103。同样，因在第一绝缘图形1110制作过程中，重叠部分103被第一导电图形1130覆盖，第一导电图形1130可以分散对第一绝缘层111进行构图的过程中产生的静电荷，可避免产生因静电荷带来的不良。

如图1b和图3F所示，一些示例中，第一金属图形101还包括第一端1011，第二金属图形102还包括第二端1021，第一导电图形1130包括相互独立的第一覆盖部1131和第一导电部1132，第一覆盖部1131在衬底基板100上的正投影至少覆盖重叠部分103；第一导电图形1130、第二绝缘图形1120和第一绝缘图形1110中包括贯穿第一导电层113、第二绝缘层112和第一绝缘层111并暴露第一端1011的第一过孔121以及贯穿第一导电层113、第二绝缘层112并暴露第二端1021的第二过孔122。相互独立的第一覆盖部1131和第一导电部1132例如是指第一覆盖部1131和第一导电部1132不电连接。

如图3B-3D所示，一些示例中，对第一导电层113进行构图形成第一导电图形1130包括如下步骤。

如图3B所示，在第一导电层113上形成第一光刻胶层114。

如图3C所示，对第一光刻胶层114进行曝光、显影，形成第一光刻胶图形1140，第一光刻胶图形1140中被去除区域包括对应第一过孔121和第二过孔122位置处的区域。

如图3D所示，以第一光刻胶图形1140为掩膜对第一导电层113进行刻蚀，形成第一导电图形1130。

如图3E-3F所示，一些示例中，对第二绝缘层112进行构图形成第二绝 缘图形1120以及对第一绝缘层111进行构图形成第一绝缘图形1110包括如下步骤。

如图3E所示，以第一光刻胶图形1140为掩膜对第二绝缘层112进行刻蚀，形成第二绝缘图形1120。

如图3F所示，以第一光刻胶图形1140为掩膜对第一绝缘层111进行刻蚀，形成第一绝缘图形1110。

一些示例中，形成第一绝缘图形1110后，还包括去除第一光刻胶图形1140，形成如图3G所示的结构。

如图3H-3I所示，一些示例中，去除第一光刻胶图形1140之后，还包括形成第二光刻胶图形1150，并以第二光刻胶图形1150为掩膜对第一导电图形1130进行构图，去除第一导电图形1130中的第一覆盖部1131，保留第一导电图形1130中的第一导电部1132。例如，形成第二光刻胶图形1150包括形成第二光刻胶层(在图3G所示的结构上形成第二光刻胶层)，对第二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二光刻胶图形1150。

如图3J所示，一些示例中，还包括去除第二光刻胶图形1150。

如图3K-3L所示，一些示例中，形成第二绝缘图形1120和第一绝缘图形1110之后，还包括形成第三绝缘层116并对第三绝缘层116进行构图形成第三绝缘图形1160，第三绝缘图形1160、第一导电图形1130、第二绝缘图形1120以及第一绝缘图形1110中包括：对应第一过孔121位置处贯通第三绝缘层116、第一导电层113、第二绝缘层112以及第一绝缘层111并暴露第一端1011的第三过孔123，以及对应第二过孔122位置处贯通第三绝缘层116、第一导电层113、第二绝缘层112并暴露第二端1021的第四过孔124。

如图3M所示，一些示例中，形成第三绝缘图形1160后，还包括形成第二导电图形1170，第二导电图形1170包括第一连接结构1171，第一连接结构1171通过第三过孔123和第四过孔124将第一端1011和第二端1021电连接。例如，形成第二导电图形1170包括：形成第二导电层(在图3L所示结构的基础上形成第二导电层)，在第二导电层上形成第三光刻胶层，对第三光刻胶层进行曝光、显影，形成第三光刻胶图形，以第三光刻胶图形为掩膜对第二导电层进行刻蚀，形成第二导电图形。

如图3M所示，一些示例中，第一连接结构1171将在第三过孔123和第四过孔124位置处断开的第一导电部1132电连接。从而，第一导电部1132 经第三过孔123和第四过孔124处的第一连接结构1171将第一端1011和第二端1021电连接，可增加第一端1011和第二端1021电连接的稳定性。

一些示例中，第一导电图形1130的材质包括透明导电金属氧化物、金属中至少之一。透明导电金属氧化物例如包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)，但不限于此。

一些示例中，第二导电图形1170的材质包括透明导电金属氧化物，但不限于此。

一些示例中，第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层116至少一个的材质包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化铝中的至少一个，但不限于此。

一些示例中，第一金属图形101可通过形成第一金属层，对第一金属层进行构图工艺形成，第二金属图形102可通过形成第二金属层，对第二金属层进行构图工艺形成，但不限于此。例如，第一金属图形101和第二金属图形102包括钼(Mo)、钼铌合金、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的任一种形成的单层结构，或为采用钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)、钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)形成子层得到的叠层结构，但不限于此。

在本公开的实施例中，构图或构图工艺可只包括光刻工艺，或包括光刻工艺以及刻蚀步骤，或者可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程，利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形。可根据本公开的实施例中所形成的结构选择相应的构图工艺。

实施例2

本实施例提供的显示基板的制作方法与实施例1的不同之处在于：如图4A所示，还包括形成位于第二绝缘层112之上的第四绝缘图形1180，第四绝缘图形1180材质包括树脂，进一步例如包括亚克力树脂或聚酰亚胺树脂，但不限于此。

例如，形成第四绝缘图形1180包括：形成第四绝缘层，在第四绝缘层上形成第四光刻胶层，对第四光刻胶层进行曝光、显影，形成第四光刻胶图形，以第四光刻胶图形为掩膜对第四绝缘层进行刻蚀，形成第四绝缘图形1180。

图4B示出了形成的第一过孔121和第二过孔122。图4C示出了形成的 第三绝缘图形以及第一连接结构1171。本实施例的图4A可与图3A的步骤对应，图4B可与图3G的步骤对应，图4C可与图3M的步骤对应，只是多设置了第四绝缘图形1180，可对应参照图3A-3M。

其余可参照实施例1，在此不再赘述。

实施例3

本实施例提供的显示基板的制作方法中，只显示区采用本公开的方法。此情况下，第一导电图形1130的材质可选用透明导电金属氧化物，但不限于此。图5示示出了显示基板以及显示区的结构示意图。

如图5、6A-6L所示，本实施例提供的显示基板的制作方法包括如下步骤。

如图6A所示，在衬底基板100上形成第一金属图形101；在第一金属图形101上形成第一绝缘层111；在第一绝缘层111上形成第二金属图形102；在第二金属图形102上形成第二绝缘层112；在第二绝缘层112上形成第一导电层113。一些示例中，第一金属图形101包括栅极1013，第二金属图形102包括源极1023和漏极1024，在第一绝缘层111和第二金属图形102之间对应栅极1013位置处还形成有源层119的图形。

如图6D所示，对第一导电层113进行构图形成第一导电图形1130。

如图6E所示，对第二绝缘层112进行构图形成第二绝缘图形1120。

如图5、图6E所示，第一金属图形101在衬底基板100上的正投影和第二金属图形102在衬底基板100上的正投影具有重叠部分1030。

如图6D、6E所示，在对第二绝缘层112进行构图的过程中，第一导电图形1130在衬底基板100上的正投影至少覆盖重叠部分103。

因在对第二绝缘层112进行构图的过程中，第一导电图形1130在衬底基板100上的正投影至少覆盖重叠部分1030，从而第一导电图形1130可以分散对第二绝缘层112进行构图的过程中产生的静电荷，避免产生因静电荷带来的不良。

一些示例中，第一金属图形101、第二金属图形102和第一导电图形1130和第二导电图形1170位于显示区001，显示区001包括栅线1012和数据线1022，第一金属图形101和第二金属图形102之一包括栅线1012，另一个包括数据线1022，栅线1012在衬底基板100上的正投影和数据线1022在衬底基板100上的正投影具有重叠部分1030。例如，如图5所示，多条栅线1012 相互平行，多条数据线1022相互平行。多条栅线1012和多条数据线1022相互交叉且彼此绝缘，并限定出多个子像素0010。需要说明的是，此处只是例举，显示区亦可为其他结构。

薄膜晶体管按照栅极相对于有源层位置可以分为顶栅和底栅结构，按照源漏电极相对于有源层位置可分为顶接触和底接触结构。需要说明的是，本公开的实施例以底栅结构的薄膜晶体管为例进行说明，但亦可采用顶栅结构的薄膜晶体管，本公开的实施例以顶接触结构的薄膜晶体管为例进行说明，但亦可采用底接触的薄膜晶体管，本公开的实施例对此不作限定。

一些示例中，如图6D、6E所示，显示区的第一导电图形1130包括第二覆盖部1133和第二导电部1134，在对第二绝缘层112进行构图的过程中，第二覆盖部1133在衬底基板100上的正投影至少覆盖重叠部分1030。在对第二绝缘层112进行构图的过程中，第二覆盖部1133在衬底基板100上的正投影至少覆盖重叠部分1030。

如图6J-6L所示，一些示例中，形成第二绝缘图形1120之后，还包括形成第三绝缘层116并对第三绝缘层116进行构图形成第三绝缘图形1160，第一金属图形101和第二金属图形102之一还包括漏极1024，第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层116中至少两层中包括对应漏极1024位置处并暴露漏极1024的第五过孔125。

如图6L所示，一些示例中，形成第三绝缘图形1160后，还包括形成第二导电图形1170，第二导电图形1170包括第二连接结构1172和第二电极1173。通过第五过孔125，第二连接结构1172将漏极1024和第一电极1134电连接，形成像素电极131与漏极1024电连接的结构，第二电极1173为公共电极132。图6L中的第二导电图形除了第二连接结构1172外的部分为公共电极132。

需要说明的是，第五过孔贯穿的绝缘层的个数依照像素电极与漏极之间设置的绝缘层的个数而定。本公开对设置的绝缘层的个数不做限定，绝缘层的个数可依据需要而定。

如图6B-6D所示，一些示例中，对第一导电层113进行构图形成第一导电图形1130包括：

如图6B所示，在第一导电层113上形成第一光刻胶层114；

如图6C所示，对第一光刻胶层114进行曝光、显影，形成第一光刻胶 图形1140，第一光刻胶图形1140中被去除区域包括对应第五过孔121位置处的区域；

如图6D所示，以第一光刻胶图形1140为掩膜对第一导电层113进行刻蚀，形成第一导电图形1130。

如图6E所示，一些示例中，对第二绝缘层112进行构图形成第二绝缘图形1120包括：以第一光刻胶图形1140为掩膜对第二绝缘层112进行刻蚀，形成第二绝缘图形1120。

一些示例中，还包括去除第一光刻胶图形1140，形成如图6F所示的结构。

如图6G-6H所示，一些示例中，去除第一光刻胶图形1140之后，还包括形成第二光刻胶图形1150，并以第二光刻胶图形1150为掩膜对第一导电图形1130进行构图，去除第一导电图形1130中的第二覆盖部1133，保留第一导电图形1130中的第二导电部1134。例如，形成第二光刻胶图形1150包括形成第二光刻胶层(在图6F所示的结构上形成第二光刻胶层)，对第二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二光刻胶图形1150。

如图6I所示，一些示例中，还包括去除第二光刻胶图形1150。

有关第一导电图形1130、第二导电图形1170、第一金属图形101、第二金属图形102的材质可参见实施例1，在此不再赘述。

一些示例中，薄膜晶体管的有源层119的材质包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等，进一步氧化物半导体例如包括氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)和氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)，但不限于此。例如，有源层采用氧化物半导体时，源漏极所在的层和有源层之间可以设置刻蚀阻挡层，以避免在源漏极的湿法刻蚀过程中刻蚀液对有源层的损伤，但本公开的实施例并不限于此。本公开的实施例对于有源层119的材质不作限定。

实施例4

如图7所示，本实施例与实施例3的不同之处在于：显示基板包括第四绝缘图形1180。第四绝缘图形1180中包括贯穿第四绝缘层的第五过孔125。

实施例5

在实施例1和/或实施例2的基础上，本实施例中显示区001和周边区均采用本公开的方法，采用第一导电图形来分散在制作过程中产生的静电荷。

例如，实施例1和/或实施例2中所述的第一金属图形101、第二金属图形102、第一导电图形1130和第二导电图形1170位于周边区002，并结合实施例3或4，即为本实施例的内容。如图6A-6L所示，显示区包括多条栅线1012、多条数据线1022、栅极1013、源极1023和漏极1024。

例如，栅极1013与第一金属图形101和第二金属图形102之一同层形成，漏极1024与第一金属图形101和第二金属图形102中另一个同层形成，第一电极1134与第一导电图形1130同层形成，第二电极1173与第二导电图形1170同层形成。

需要说明的是，本实施例中的以图6A-6E分别对应图3A-3E的步骤，图6F-6L分别对应图3G-3M的步骤为例进行说明。即图6A对应图3A，图6B对应图3B，以此类推。虽然在之前形成步骤稍有不同(图6A中形成有薄膜晶体管的有源层119)，但在后续的步骤中除了显示区域不需要对第一绝缘层进行图形化外均可相互对应(第一绝缘层进行图形化仅在周边区进行)。具体步骤请参照图3A-3M、图6A-6L。

需要说明的是，本实施例也可以不设置第二覆盖部1133。仅周边区域的重叠部分被第一导电图形覆盖即可。

实施例6

本实施例与实施例5的区别在于：调整了显示区的第一导电图形和第二导电图形的图形结构，并且设置了第四绝缘图形1180。有关第四绝缘图形1180可参照之前描述。

如图8所示，一些示例中，第一电极1134为公共电极132，第二电极1173为像素电极131。

实施例7

本实施例提供的显示基板，采用实施例1-6中所述的任一方法形成。显示基板例如可为阵列基板。

实施例8

本实施例提供的显示装置，包括实施例7所述的任一显示基板。

例如，显示装置可以为液晶显示器、电子纸、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

有以下几点需要说明：

(1)除非另作定义，本公开的实施例以及附图中同一标号代表同一含义。

(2)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(3)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

(4)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。