1.一种高LED发光效率的外延片，在衬底的同一侧依次设置缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、AlN/GaN叠层结构MQB层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层。
2.根据权利要求1所述高LED发光效率的外延片，其特征在于所述AlN/GaN叠层结构MQB 层由1～8对AlN/GaN层组成。
3.根据权利要求2所述高LED发光效率的外延片，其特征在于所述AlN/GaN层至少两对，每对AlN/GaN层的总厚度为1～10nm，每对AlN/GaN层中AlN与GaN的厚度比为0.2～5∶1，相邻对的AlN与GaN的厚度比呈梯度变化。
4.根据权利要求1或2或3所述高LED发光效率的外延片，其特征在于所述AlN/GaN叠层结构MQB 层的总厚度为30±10nm。
5.如权利要求1所述高LED发光效率的外延片的生长方法，包括在衬底的同一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、AlN/GaN叠层结构MQB层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，其特征在于在温度为1100～1200℃、压力为50～400mbar的条件下，在N型掺杂GaN层上生长形成AlN/GaN叠层结构MQB层。
6.根据权利要求5所述高LED发光效率的外延片的生长方法，其特征在于在生长AlN/GaN叠层结构MQB层时，对AlN或GaN中的至少一层进行N型掺杂。
7.根据权利要求5或6所述高LED发光效率的外延片的生长方法，其特征在于在生长AlN/GaN叠层结构MQB层时，生长形成1～8对AlN/GaN层。
8.根据权利要求7所述高LED发光效率的外延片的生长方法，其特征在于生长形成至少两对AlN/GaN层，每对AlN/GaN层的总厚度为1～10nm，每对AlN/GaN层中AlN与GaN的生长厚度比为0.2～5∶1。
9.根据权利要求5所述高LED发光效率的外延片的生长方法，其特征在于生长形成的所述AlN/GaN叠层结构MQB 层的总厚度为30±10nm。