技术总结
一种高LED发光效率的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域，在衬底的同一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、AlN/GaN叠层结构MQB层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，在温度为1100～1200℃、压力为50～400mbar的条件下，在N型掺杂GaN层上生长形成AlN/GaN叠层结构MQB层。本发明生产方法简单，在生长AlN/GaN MQB层时，稳定反应室的温度和压力，通过控制三甲基镓（TMGa）和三甲基铝（TMAl）注入反应室的时间和流量就可以实现，能明显改善电流扩展，提高LED发光二极管的亮度。
技术研发人员：张韧剑;李志聪;冯亚萍;王辉;孙一军;王国宏
受保护的技术使用者：扬州中科半导体照明有限公司
文档号码：201610705933
技术研发日：2016.08.23
技术公布日：2016.11.16