技术总结
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区；曲率结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N+接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的子区域21、22....2N；漏极N+接触区包围子区域21、22….2N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。
技术研发人员：乔明;李成州;于亮亮;肖倩倩;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610727469
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.01.04