1.一种基于表面半导体工艺的射频微机电开关，其特征在于，该开关包括：衬底(1)；在所述衬底(1)上设有隔离电阻(4)，所述隔离电阻(4)两端与电极接触孔(2)和驱动电极(3)相连；在所述隔离电阻(4)、电极接触孔(2)和驱动电极(3)上设有钝化层(5)；在所述钝化层(5)上设有共面波导传输线(6)、共面波导地线(7)；所述共面波导地线(7)上设有锚点(8)；所述锚点(8)与悬臂梁结构(9)相接；所述悬臂梁结构(9)上设有接触点(11)、通孔(10)；所述悬臂梁结构(9)为弓形结构，所述悬臂梁结构(9)上的弓形下凹结构(12)与驱动电极(3)相对应。
2.根据权利要求1所述的射频微机电开关，其特征在于，所述衬底(1)的材料为蓝宝石Al2O3。
3.根据权利要求1所述的射频微机电开关，其特征在于，隔离电阻(4)采用反应溅射的TaN材料。
4.根据权利要求1所述的射频微机电开关，其特征在于，钝化层(5)为氮化硅薄膜。
5.根据权利要求1所述的射频微机电开关，其特征在于，悬臂梁结构(9)采用Au材料，并且悬臂梁结构(9)上具有圆形通孔(10)。
6.根据权利要求5所述的射频微机电开关，其特征在于，所述悬臂梁结构(9)上设有接触点(11)，所述接触点(11)对应共面波导传输线(6)的信号输出端。
7.一种基于表面半导体工艺的射频微机电开关的制备方法，其特征在于，该制备方法的包括如下步骤：
步骤1，清洗衬底(1)；
步骤2，在所述衬底(1)上形成电极接触孔(2)、驱动电极(3)、隔离电阻(4)和钝化层(5)；
步骤3，在所述钝化层(5)上形成共面波导传输线(6)、共面波导地线(7)、锚点(8)、悬臂梁结构(9)；
步骤4，在所述悬臂梁结构(9)上形成接触点(11)、弓形下凹结构(12)通孔(10)。
8.根据权利要求7所述的射频微机电开关的制备方法，其特征在于，所述隔离电阻(4)采用反应溅射的TaN材料，其两端分别连接电极接触孔(2)和驱动电极(3)。
9.根据权利要求7所述的射频微机电开关的制备方法，其特征在于，所述步骤3中形成共面波导传输线(6)方法为：采用光刻形成共面波导传输线(6)图形，接着溅射NiCr或Au金属种子层，再次采用厚光刻胶作为电镀掩膜，电镀加厚Au层，用丙酮超声去除电镀掩膜，同时实现对种子层的剥离，实现共面波导传输线(6)的图形化，最后制得共面波导传输线(6)。
10.根据权利要求7所述的射频微机电开关的制备方法，其特征在于，所述步骤3中锚点(8)制备方法为：在共面波导地线(7)上表面旋涂第一牺牲层，对第一牺牲层进行120℃预固化处理，并光刻图形化，通过显影在第一牺牲层中形成悬臂梁的锚点(8)图形，再进行250℃固化处理，最后制得锚点(8)。
11.根据权利要求7所述的射频微机电开关的制备方法，其特征在于，所述步骤3接触点(11)和弓形下凹结构(12)的制备方法为：旋涂第二牺牲层，对第二牺牲层进行120℃预固化处理，并光刻图形化，通过显影在第二牺牲层中形成悬臂梁结构(9)上的弓形下凹结构(12)和接触点(11)的三维图形，再进行250℃固化，最后制得接触点(11)和弓形下凹结构(12)。
12.根据权利要求7所述的射频微机电开关的制备方法，其特征在于，所述步骤4悬臂梁结构(9)和悬臂梁上通孔(10)的制备方法为：在固化后的牺牲层上一次通过光刻种子层图形，接着溅射NiCr/Au种子层，光刻悬臂梁电镀掩膜，然后电镀加厚处理，最后制备得到悬臂梁结构(9)和悬臂梁上通孔(10)。