技术总结
本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板制作方法，包括，在沟道层上沉积形成栅极绝缘层，其中栅极绝缘层包括形成于所述沟道层表面的氧化硅层及层叠于所述氧化硅层上的氮化硅层；其中所述氮化硅层的厚度大于所述氧化硅层的厚度；以所述氮化硅层中的氢作为氢源对形成有栅极绝缘层的沟道层进行氢化；在氮化硅层背向所述氧化硅层的表面上形成凹槽，其中，所述凹槽正投影于所述沟道层中的多晶硅区域；形成位于所述凹槽内的栅极。本发明还提供一种阵列基板及显示装置。
技术研发人员：唐丽娟
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201610785974
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2016.12.21