1.一种薄膜晶体管，包括设置于衬底基板上的栅极、由源极和漏极组成的源漏图案以及有源层，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层的电子迁移率大于所述第二半导体层的电子迁移率，所述第一半导体层相较于所述第二半导体层靠近所述栅极；
所述有源层中远离所述源漏图案一侧的半导体层相较于靠近所述源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；
所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述源极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5；
和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述漏极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述源漏图案相较于所述有源层远离所述衬底基板的情况下，所述源极和/或所述漏极与所述延伸部的上底面和侧面接触。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述源漏图案相较于所述有源层靠近所述衬底基板的情况下，所述延伸部与所述源极和/或所述漏极的部分上底面和侧面接触。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层由碳纳米管材料构成，所述第二半导体层由金属氧化物半导体材料构成。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的厚度与所述第一半导体层的厚度的比值为2.5～3.5。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述源漏图案相较于所述有源层远离所述衬底基板，且所述源漏图案位于所述有源层的相邻层的情况下，
所述薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层与所述有源层的部分上表面接触，所述有源层的上表面与所述刻蚀阻挡层未接触的部分分别与所述源极和所述漏极相接触。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。
10.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上制作栅极以及栅极绝缘层；
在衬底基板上制作第一半导体层；
在衬底基板上制作第二半导体层，其中所述第一半导体层的电子迁移率大于所述第二半导体层的电子迁移率，所述第一半导体层相较于所述第二半导体层靠近所述栅极；
在衬底基板上形成金属薄膜层，通过构图工艺形成由源极和漏极组成的源漏图案；其中，远离所述源漏图案一侧的半导体层相较于靠近所述源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；所述源极与靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；和/或，所述漏极与靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触。