技术总结
本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够有效保证在提高开态电流的同时降低漏电流。该薄膜晶体管，包括设置于衬底基板上的栅极、由源极和漏极组成的源漏图案以及有源层，有源层包括层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的电子迁移率大于第二半导体层的电子迁移率，第一半导体层相较于第二半导体层靠近所述栅极；有源层中远离源漏图案一侧的半导体层相较于靠近源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；源极和/或漏极与有源层中靠近源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至延伸部且与对应的延伸部接触。
技术研发人员：白金超;刘建涛;郭会斌
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
文档号码：201610862940
技术研发日：2016.09.28
技术公布日：2017.01.04