技术特征：
技术总结
本发明提供扇出型晶片级封装的重布层内的射频/电磁干扰(RF/EMI)屏蔽。通过使用RDL金属层来提供屏蔽，避免了额外的处理步骤(例如，并入屏蔽盖或在封装背侧上涂覆保形涂料)。实施例使用RDL介电层中由金属填充的沟槽通孔，在穿过RDL的介电层区的RF敏感信号线周围提供金属“壁”。这些壁耦合到地线，这将所述信号线与所述壁外部所产生的干扰或噪声隔离开来。
技术研发人员：叶荣丰;爱德华·简·帕布斯特
受保护的技术使用者：飞思卡尔半导体公司
技术研发日：2016.10.19
技术公布日：2017.08.11