1.一种晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 采用PECVD方法在硅片表面沉积形成氮化硅膜；
(2) 将步骤(1)的硅片在氢气或氨气气氛下进行高温退火处理；
所述氢气的流量控制在500~1200 sccm，或者，所述氨气的流量控制在500~1200 sccm；
(3) 采用PECVD方法在步骤(2)的硅片表面沉积形成氮氧化硅膜；其所用的反应气体为二氧化氮和硅烷；
即可得到由氮化硅膜和氮氧化硅膜层叠组成的双层减反射膜。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述氮化硅膜的厚度为60~70nm，其折射率为2.3~2.5。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，沉积过程中，氨气和硅烷的体积比为2~4：1；
采用的单个微波源射频功率为1600~2000W；
形成所述氮化硅膜的工艺腔内的反应温度为300~345℃，其压强为0.1~0.2mbar。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述高温退火的温度为450~550℃。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，所述氢气的流量控制在700~900 sccm，或者，所述氨气的流量控制在700~900 sccm。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，沉积过程中，二氧化氮和硅烷的体积比为1~2：1；采用的单个微波源射频功率为1600~2000W；形成所述氮化硅膜的工艺腔内的反应温度为300~345℃，其压强为0.1~0.2mbar；所述氮氧化硅膜的厚度为5~20nm。
7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)得到的双层减反射膜的综合折射率为2.03~2.10，综合膜厚为86~90nm。
8.根据权利要求1所述的制备方法得到的晶体硅太阳能电池的减反射膜。
9.一种晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备装置，主要包括PECVD设备，该PECVD设备内包括依次排列的工艺腔、冷却腔和出料腔；其特征在于：在所述工艺腔和冷却腔之间，还依次设有退火腔和氧化腔。
10.根据权利要求9所述的晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备装置，其特征在于：所述退火腔和或氧化腔上还设有与特气管路连通的通气口。