技术总结
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的减反射膜的制备方法，包括如下步骤：(1)采用PECVD方法在硅片表面沉积形成氮化硅膜；(2)将步骤(1)的硅片在氢气或氨气气氛下进行高温退火处理，(3)采用PECVD方法在步骤(2)的硅片表面沉积形成氮氧化硅膜；即可得到由氮化硅膜和氮氧化硅膜层叠组成的双层减反射膜。实验证明，与现有的单层氮化硅膜或双层叠层氮化硅膜相比，本发明的双层减反射膜具有更低的折射率，且能更好的减少电池片结区和发射区的缺陷，增加少子寿命和电池片的效率，最终制得的电池片具有更好的电性能和光电转换效率。
技术研发人员：袁中存;党继东
受保护的技术使用者：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
文档号码：201610999855
技术研发日：2016.11.14
技术公布日：2017.03.08