技术总结
本揭露为一种制造半导体装置的方法。此方法包括形成第一材料层于基板上。此第一材料层具有界定第一开口的侧壁，其中此第一开口具有第一形状。此方法亦包括在第一开口内形成牺牲特征且此牺牲特征具有第二形状，此第二形状不同于第一形状以使得在牺牲特征的边缘与第一材料层的侧壁之间存在空腔。此方法亦包括用第二材料层填充空腔，移除牺牲特征以形成第二开口，用第三材料层填充第二开口，移除第二材料层以显露空腔并在空腔内形成导电特征。
技术研发人员：杨育佳;布莱戴恩杜瑞兹;马汀克里斯多福荷兰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201611028061
技术研发日：2016.11.18
技术公布日：2017.06.09