技术特征：
技术总结
具有增强的双极放大的功率半导体晶体管，包括第一负载端子、第二负载端子和耦接至第一和第二负载端子的半导体本体，半导体本体包括:具有第一导电类型掺杂剂的漂移区；配置成传导正向负载电流的晶体管区段，其具有将第一负载端子耦接至漂移区第一侧的控制头；配置成传导反向负载电流的二极管区段，其具有将第二负载端子耦接至漂移区第二侧的二极管端口，二极管端口包括：第一发射极，其具有第一导电类型掺杂剂并被配置成将多数电荷载流子注入漂移区，并电连接至第二负载端子；第二发射极，其具有第二导电类型掺杂剂并配置成将少数电荷载流子注入漂移区，第一发射极与第二发射极接触，第一与第二发射极间的过渡形成的pn结呈现小于10V的击穿电压。
技术研发人员：罗曼·巴布尔斯科;约翰内斯·乔治·拉文;汉斯-约阿希姆·舒尔策;安东尼奥·韦莱伊
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2016.11.23
技术公布日：2017.08.11