1.一种H桥臂双面散热功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：
散热器层；
主电路层，其包括H桥臂功率半导体电路和至少两组衬板，其中，第一组衬板和第二组衬板分别接触式地设置在所述散热器层的第一侧面和第二侧面上，所述H桥臂功率半导体电路中的功率半导体芯片分别设置在所述第一组衬板和第二组衬板上；
控制电路，其包括第一控制模块和第二控制模块，所述第一控制模块和第二控制模块分别分布在所述散热器层的两侧，并与所述H桥臂功率半导体电路电连接，用于控制所述H桥臂功率半导体电路的工作状态。
2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一组衬板和第二组衬板分别包含多个矩阵式排布的衬板。
3.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于，各个所述功率半导体芯片对应固定设置在各个衬板上，并与对应的衬板形成衬板单元。
4.如权利要求1～3中任一项所述的功率模块，其特征在于，所述H桥臂功率半导体电路中的上桥臂功率半导体芯片和下桥臂功率半导体芯片分别设置在所述第一组衬板和第二组衬板上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的功率模块，其特征在于，所述第一组衬板和第二组衬板中的一组衬板上设置有直流正铜排和交流铜排，另一组衬板上设置有直流负铜排和交流铜排，并且所述直流正铜排与同一侧的交流铜排为部分叠式设置的板状，所述直流负铜排与同一侧的交流铜排为部分叠式设置的板状。
6.如权利要求5所述的功率模块，其特征在于，所述直流正铜排、直流负铜排以及交流铜排均具有与衬板的导电层电连接的引脚，其中，
靠近衬板的所述直流正铜排或相同侧的交流铜排上设置有供远离衬板的相同侧的交流铜排或直流正铜排上的引脚穿过的避让孔，且/或，靠近衬板的所述直流负铜排或相同侧的交流铜排上设置有供远离衬板的相同侧的交流铜排或直流负铜排上的引脚穿过的避让孔。
7.如权利要求5或6所述的功率模块，其特征在于，在所述散热器层的第一端设置有用于与所述直流正铜排连接的直流正电连接器、用于与所述直流负铜排连接的直流负电连接器和用于与所述交流铜排连接的交流电连接器，其中，所述直流正电连接器、直流负电连接器和交流电连接器构造为插拔式电接头。
8.如权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：
电流传感器，其设置在所述交流连接器处，并与所述控制电路电连接。
9.如权利要求7或8所述的功率模块，其特征在于，在所述散热器层的第一端设置有端壳，并且所述直流正电连接器、所述直流负电连接器、所述交流电连接器和所述插拔式管接头穿过所述端壳。
10.如权利要求9所述的功率模块，其特征在于，在所述散热器层的第一侧面和第二侧面上分别设置有第一壳体和第二壳体，其中，
所述第一壳体与所述端壳和散热器层形成第一容纳腔，所述直流正铜排以及位于所述散热器层的第一侧面上的交流铜排位于所述第一容纳腔内；
所述第二壳体与所述端壳和散热器层形成第二容纳腔，所述直流负铜排以及位于所述散热器层的第二侧面上的交流铜排位于所述第二容纳腔内。
11.如权利要求10所述的功率模块，其特征在于，在所述第一容纳腔和/或第二容纳腔内灌注有绝缘材料。
12.如权利要求10或11所述的功率模块，其特征在于，在所述第一壳体和第二壳体的外侧分别设置有第三壳体和第四壳体，所述第三壳体与第一壳体形成用于容纳所述第一控制模块的第三容纳腔，所述第四壳体与第二壳体形成用于容纳所述第二控制模块的第四容纳腔，所述第一控制模块和第二控制模块电连接。
13.如权利要求12所述的功率模块，其特征在于，所述第一组衬板和第二组衬板分别通过设置在其导电层上的插针与所述第一控制模块和第二控制模块对应连接。
14.如权利要求12或13所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括分别通过所述第三壳体和所述第四壳体并穿过所述端壳的螺杆，所述螺杆的一端延伸出所述端壳的第一端面。
15.如权利要求1～14中任一项所述的功率模块，其特征在于，在所述散热器层的第一端面设置有冷却液入口和冷却液出口，在所述冷却液入口和冷却液出口上设置有插拔式管接头。
16.如权利要求1～15中任一项所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：
温度传感器，其设置在所述衬板上，并与所述控制电路信号连接。
17.如权利要求1～16中任一项所述的功率模块，其特征在于，所述散热器层的第一端面上设置有导向孔。