1.一种半导体器件，包括：
第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平，所述第一晶体管包括栅极结构，所述栅极结构包括：
包括第一导电类型的第一部件；
第二晶体管，被配置为包括不同于所述第一阈值电压水平的第二阈值电压水平，所述第二晶体管包括栅极结构，所述栅极结构包括：
包括所述第一导电类型的第二部件；
至少一个额外部件，设置在所述第二部件上方，其中，所述至少一个额外部件包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被连接，使得通过所述第一阈值电压水平与所述第二阈值电压水平之间的期望电压差确定所述至少一个额外部件的数量。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电类型是n型。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管或所述第二晶体管是FinFET。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部件包括TaN、TiN、Ta或Ti。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部件包括TaN、TiN、Ta或Ti。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个额外部件包括TaN、TiN、Ta或Ti。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部件和所述第二部件包括基本相同的厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部件、所述第二部件或第三部件包括从大约0.5埃到大约50埃的范围内的厚度。
9.一种半导体器件，包括：
第一参考电压电路，包括：
第一晶体管，被配置为包括第一栅极结构，所述第一栅极结构包括：
包括第一导电类型的第一层；
第二晶体管，被配置为包括不同于所述第一晶体管的阈值电压水平，所述第二晶体管包括第二栅极结构，所述第二栅极结构包括：
包括所述第一导电类型的第二层；
设置在所述第二层上方的第三层，所述第三层包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型，
其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管被连接以为所述半导体器件中的第一非参考电路提供第一参考电压；
第二参考电压电路，包括：
第三晶体管，被配置为包括第三栅极结构，所述第三栅极结构包括：
包括第一导电类型的第四层；
第四晶体管，被配置为包括不同于所述第三晶体管的阈值电压水平，所述第二晶体管包括第四栅极结构，所述第四栅极结构包括：
包括所述第一导电类型的第五层；
设置在所述第五层上方的第六层，所述第六层包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型，
其中，所述第三晶体管和所述第四晶体管被连接以为所述半导体器件中的第二非参考电路提供第二参考电压，并且所述第二参考电压与所述第一参考电压不同。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
接收衬底；
在所述衬底上形成多个参考电压电路，其中，所述多个参考电压电路中的每一个提供不同的参考电压；以及
在所述衬底上形成多个非参考电路，其中，所述多个参考电压电路与所述多个非参考电路同时形成。