技术总结
本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平。该第一晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件。第二晶体管被配置为包括与第一阈值电压水平不同的第二阈值电压水平。该第二晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件。至少一个额外部件设置在第二部件上方。该至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型。连接第一晶体管和第二晶体管以通过第一阈值电压水平和第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。本发明还提供了另一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。
技术研发人员：李陈毅;黄士芬;王培伦;何大椿;钟于彰;穆罕默德·阿尔-夏欧卡;亚历克斯·卡尔尼茨基
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201611092388
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.06.09