技术总结
本发明公开了一种高效率制备氮掺杂石墨烯碳纳米管薄膜的方法，先通入Ar以排除立式CVD炉内的空气，炉内升温至1100～1200℃。按照787:15:8的质量比配置乙醇、二茂铁、噻吩的乙醇溶液，外加质量百分比为1％～4％的吡咯，再将氧化石墨烯溶入其中，使其在乙醇溶液中的浓度为1.2mg/mL，超声分散后作为前驱体溶液；按照8:1的体积比注入H2和Ar，待其充满整个立式CVD炉膛，再将前驱体溶液注入炉内。在炉膛底部，收集筒状类的石墨烯碳管膜，制成氮掺杂石墨烯碳纳米管薄膜。本发明工艺简单，氮元素高效率进入石墨烯碳纳米管薄膜中，解决了在浮动裂解一步制备石墨烯碳纳米管薄膜过程中氮源难以被高效率引入的问题，显著提高了该材料质量比电容。
技术研发人员：侯峰;郭文磊;蒋小通
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201611097195
技术研发日：2017.01.16
技术公布日：2017.05.31