技术特征：
技术总结
一种包括以下步骤的制作半导体装置的方法。提供具有第一区域及第二区域的衬底。将衬底图案化，以在衬底中形成沟槽以及在沟槽之间形成半导体鳍，其中半导体鳍包括分布于第一区域中的第一半导体鳍及分布于第二区域中的第二半导体鳍。在第一区域中执行第一鳍切割工艺，以移除第一半导体鳍的部分。在执行第一鳍切割工艺之后，在沟槽中形成绝缘体。在第二区域中执行第二鳍切割工艺以移除第二半导体鳍的部分，直至在第二区域中在绝缘体之间形成凹部为止。形成栅极堆叠结构以局部地覆盖第一半导体鳍、第二半导体鳍及绝缘体。
技术研发人员：张哲诚;林志翰;曾鸿辉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.06
技术公布日：2017.09.05