1.一种ESD防护结构的制作方法，其特征在于，包括：
在栅极接地的MOS管的漏极区域设置N+区和P+区；
所述漏极区域的N+区和所述漏极区域的P+区短接；
在所述MOS管的源极区域设置N+区；
所述源极区域的N+区设置在所述MOS管的P阱区内，所述P阱区设置在所述源极区域内；
所述漏极区域的N+区和所述漏极区域的P+区设置在所述MOS管的N阱区内，所述N阱区设置在所述漏极区域内；
所述MOS管的栅极和源极短接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源极区域的N+区、所述P阱区和所述N阱区构成NPN晶体管。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述漏极区域的P+区、所述N阱区和所述P阱区构成PNP晶体管。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源极区域的N+区、所述P阱区、所述N阱区和所述漏极区域的P+区构成NPNP的SCR结构。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述漏极区域的P+区和所述N阱区之间产生电压差，所述漏极区域的P+区和所述N阱区之间的PN结发生导通。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述P阱区和所述N阱区之间的PN结发生击穿。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述NPN晶体管导通。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述PNP晶体管导通。
9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述NPNP的SCR结构导通。