一种单节钙钛矿太阳能电池及其钙钛矿太阳能电池模块的制作方法

本发明属于太阳能电池
技术领域：
，具体涉及一种单节钙钛矿太阳能电池及其钙钛矿太阳能电池模块。
背景技术：
：太阳能光伏发电是解决目前日益严重的能源与环境问题的一种有效手段。经过数十年的发展，电池的种类从传统的单晶硅电池发展到各类新型太阳能电池，包括无机半导体薄膜电池、有机半导体薄膜电池、染料敏化电池以及钙钛矿薄膜电池等。在染料敏化太阳能电池基础上发展起来的钙钛矿太阳能电池，在短短几年内实现了光电转换效率的飙升，被Science评为“2013年十大科学突破”之一。钙钛矿太阳电池光电转换效率在短短几年的研究效率如此迅速的提升，这在太阳能电池研究领域是没有先例的，已经引起了国内外学术界和工业界广泛关注和兴趣。这种新型太阳能电池包括透明导电基底(透明基底上沉积导电层)，在该导电基底上形成的光生电单元(例如，由电子传输层、钙钛矿光电转换层和空穴传输层形成的光生电单元)，以及对电极层。钙钛矿太阳能电池可以分为正式和反式两种，正式太阳能电池基本结构是FTO/电子传输层(如二氧化钛)/钙钛矿/空穴传输层(如Spiro-MeTAD)/金属电极(如Au)；反型钙钛矿电池基本结构是ITO或FTO/空穴传输层(如PEDOT:PSS)/钙钛矿/电子传输层(如PCBM)/金属电极(如Ag)。相比于其他太阳能电池，作为光电转换层的有机-无机杂化钙钛矿具有大的光吸收系数、高的载流子迁移率和价带低等特征，是一种非常良好的光吸收材料。2006年，日本Miyasaka课题组首次报道将CH3NH3PbX3型钙钛矿用于太阳能电池，光电转换效率仅为3％。2011年，韩国Park等报道出此类电池效率提升为6.5％。2013年，英国Snaith等将钙钛矿太阳能电池提高到9％，这时钙钛矿电池的研究引起了太阳能研究领域的高度关注。2014年，韩国Seok课题组通过改善钙钛矿形貌与调节钙钛矿组成成分，大幅度提高了效率，获得了超过20％的认证效。2015年，韩礼元等通过优化界面层，大幅度提高了界面层的导电性，进而可以制备大面积的电池，并采用了无机界面层同时提高了器件的稳定性。这是首次认证的大于1cm2的钙钛矿太阳能电池器件，获得了15％的光电转换效率。钙钛矿太阳能电池在电池效率、器件结构和制备方法上有了迅速进步和发展。但是现在报道的钙钛矿电池的有效面积相对比较小(0.2cm2以下)、并且器件稳定性差，因此这类太阳能电池产业化任重而道远。目前，作为一种仍较为新颖的太阳能电池，研究人员对于器件稳定性方面的研究主要集中在改进材料层的性能方面，但是，这种对材料性能的改进往往伴随着工艺复杂化，以及成本大幅增加的问题。因此，在钙钛矿太阳能电池领域，仍缺乏简便易行且成本较低的可提高器件稳定性方面的工艺设计。技术实现要素：为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种单节钙钛矿太阳能电池。该电池采用了特殊的结构设计，使得器件稳定性得到改善。本发明的另一目的是提供一种包括上述单节钙钛矿太阳能电池的钙钛矿太阳能电池模块。本发明的又一目的是提供一种用于断开钙钛矿太阳能电池中设于基底上的连续导电层的隔断沟道。为达到上述目的，本发明提供了一种单节钙钛矿太阳能电池，该单节钙钛矿太阳能电池导电层的至少一个断开端具有第一斜坡结构，所述第一斜坡结构具有与基底成110-170°的第一坡面。针对现有技术中对器件效率和稳定性方面的改进大多不适用工业化生产的问题，本发明提出了从结构设计层面改善器件效率和稳定性的方案，该方案采用了一种将导电层的断开端设置为斜坡结构的设计。这种设计基本不会增加现有工艺的成本，却可以获得较好的影响因子和稳定性。申请人基于对现有技术中钙钛矿太阳能电池结构的深入研究，经过大量研究发现，电池器件稳定性差除了钙钛矿本身容易分解的问题外，还存在材料层的断开端容易产生过薄或局部断开等缺陷，因此，要提高器件的稳定性，需要设计更合理的结构，以减少上述缺陷的发生。现以现有技术中一种电池模块的结构为例(参考图2和图4)说明上述缺陷形成的原因。图2的导电层中用于隔离单节电池的沟道侧墙呈直角，这将导致后续覆盖的材料层容易在垂直侧墙的上半部分形成一段薄层段(严重时会产生孔洞甚至断开)；尤其是对于蒸镀和溅射工艺制备的材料层而言，这种现象则非常明显。在蒸镀和溅射工艺中，材料层是逐步叠加形成的，而蒸镀和溅射出的材料在直角型的侧墙上进行附着是较困难的，这就使得材料层在垂直侧墙的上半部分(垂直拐角附近)沉积的较少，会不可避免的形成一段薄层段。由于薄层段的存在，该层材料在此处容易断开，而材料层的过薄或断开会影响该层材料的功能(尤其是对于还需要担负隔断作用的材料层，大大增加了上下两层的接触几率，容易形成电荷复合)，严重降低了器件的影响因子和稳定性。基于对上述原因的深刻认识，本发明提出了将导电层的段开端设置为斜坡结构的设计(参考图1和图3)，使得蒸镀和溅射出的材料可以在倾斜的侧墙上顺利附着，而在导电层上最先形成的材料层也会顺延这种斜坡趋势进行生长，后续沉积的材料层也可能延续这种斜坡趋势，可见，仅是通过导电层的斜坡结构就可以大大减少产生薄层段的问题，因而使得钙钛矿太阳能电池的器件影响因子、稳定性、光电转效率等性能得到显著的改善。而且，现有技术中的各种形式的钙钛矿太阳能电池中导电层的断开段基本都能采用本发明提供的斜坡结构设计，因此，该方案具有很广泛的应用范围。本发明提供的方案中，导电层的斜坡结构可以通过常规的干刻或者湿刻方法获得，因此，基本不增加工艺成本。在本发明提供的一种优选实施方式中，采用激光蚀刻法制备斜坡结构。本发明提供的方案中，将斜坡结构的第一坡面设置为与基底呈110-170°的角度可以获得对电池器件稳定性方面较好的改善；在此基础上，角度可以优选为120-160°，进一步优选为130-155°，更选为140-150°。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述第一坡面为平面状坡面或阶梯状坡面。进一步优选地，所述阶梯状坡面由若干台阶单元组成，所述台阶单元的拐角角度大于90°。当第一坡面具有阶梯形状时，通过对台阶高度的合理设计(例如，使台阶单元的高度小于材料易沉积处的最低高度)，可避免过薄层的形成，这种结构不仅适用于蒸镀、溅射制备材料层的工艺，而且还适用于喷涂、旋涂等工艺，液态的材料层能够在台阶型坡面上形成滞留，从而制备连续的具有第一坡面结构的材料层。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，该单节钙钛矿太阳能电池包括基底、导电层、对电极，以及设于所述导电层和对电极之间用于实现电子传输、光吸收和空穴传输功能的光生电单元；所述光生电单元由一层或多层功能材料组成。各层材料的制备工艺可采用现有技术中的常规方法(喷涂、旋涂、磁控溅射或者真空蒸镀等)，具体材料的选用和膜厚等参数的参考现有技术中的方案即可。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述光生电单元由三层功能材料组成，具体结构为：钙钛矿光吸收层为中间层，电子传输层和空穴传输层分置于钙钛矿光吸收层的两侧。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述基底、导电层、对电极或功能材料之间设置有辅助层，所述辅助层用于改善相应层材料的强度、平整度、粘接性或透光率。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述导电层选自氧化铟锡层、掺杂铝的氧化锌层或掺杂氟的氧化锡层。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述基底的材质包括玻璃、金属、陶瓷或耐高温有机聚合物。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述电子传输层选自无机电子传输材料或有机电子传输材料中的一种或几种的组合；其中，所述无机电子传输材料包括TiO2、ZnO或SnO2；所述有机电子传输材料包括PCBM。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述空穴传输层选自无机空穴传输材料或有机空穴传输材料中的一种或几种的组合；其中，所述无机空穴传输材料包括NiO、Cu2O或MoO3；所述有机空穴传输材料包括Spiro-OMeTAD、PEDOT:PSS或PTAA。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述钙钛矿光吸收层中包含一种或几种钙钛矿材料ABX3，A为NH＝CHNH3、CH3NH3或Cs；B为Pb或Sn；X为I、Cl或Br。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，所述对电极为金属电极或非金属电极，所述金属电极包括Al、Ag、Au、Mo和Cr中的一种或多种的组合；所述非金属电极包括碳电极。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，优选地，在所述第一坡面上方形成的功能材料层中的一层或多层，具有顺势形成的第一斜坡段(由于是在斜角坡面上覆盖功能材料层，因此，功能材料层该段的底面也为斜面状，但是对于顶面是否也具有斜面状不进行限定；优选的情况是顶面和底面都具有斜面状)；进一步优选地，所述电子传输层、钙钛矿光吸收层和空穴传输层具有顺势形成的第一斜坡段；更优选地，在所述功能材料层的斜坡段上方形成的对电极层，具有顺势形成的第一斜坡段。在上述单节钙钛矿太阳能电池中，根据本发明提供的导电层断开端的设计结构的理念，还可以将功能材料层的断开端设置为斜坡结构，这将有利于制备性能良好的对电极层，从而进一步提供器件的稳定性。优选地，所述功能材料层的断开端具有第二斜坡结构；所述第二斜坡结构具有与基底成成110-170°的第二坡面；优选为120-160；进一步优选为130-155°；更优选为140-150°。本发明还提供了一种钙钛矿太阳能电池模块(太阳能池组件)，其包括两个以上上述单节钙钛矿太阳能电池；各单节钙钛矿太阳能电池分置于一块整体基底材料上。由于在一块整体基底上可以制备包含若干单节钙钛矿太阳能电池的钙钛矿太阳能电池模块，将本发明提供的导电层断开端的斜坡结构应用于单节电池之间的隔离沟道设计，可以获得器件稳定性较高的钙钛矿太阳能电池模块。相应地，钙钛矿太阳能电池模块中的功能材料层或对电极层的断开段也可以设计为斜坡结构，以进一步提高器件稳定性和影响因子。在本发明提供的一种优选实施方式中，该钙钛矿太阳能电池模块中的功能材料层或对电极层的断开段具有第一斜坡结构，所述第一斜坡结构具有与基底成110-170°的第一坡面；优选为120-160；进一步优选为130-155°；更优选为140-150°。在上述钙钛矿太阳能电池模块中，优选地，相邻的单节钙钛矿太阳能电池之间为串联连接；进一步优选地，所述串联连接的具体方式为：前一个单节钙钛矿太阳能电池的对电极层与后一个单节钙钛矿太阳能电池的导电层联通。更优选地，与对电极层相连通的导电层的段开端具有第一斜坡结构；这样可以提高前后两个单节钙钛矿太阳能电池连通的稳定性，从而进一步提高钙钛矿太阳能电池模块的器件稳定性。在本发明提供的一种优选实施方式中，钙钛矿太阳能电池模块包括：透明导电玻璃、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和对电极层；透明导电玻璃(FTO、ITO、AZO等)通过干刻或者湿刻导电层，得到每个单节钙钛矿太阳能电池导电基底，其中每个单节钙钛矿太阳能电池由蚀刻的沟道隔开；透明导电玻璃和透明的第一半导体层组成钙钛矿太阳能电池的光电极；第一半导体层(电子传输层或空穴传输层)覆盖上述导电基底，并具有高的透明度；第二半导体层(钙钛矿光吸收层)覆盖上述第一半导体层；第三半导体层(当第一半导体层为电子传输层时，第三半导体层为空穴传输层；当第一半导体层为空穴传输层时，第三半导体层为电子传输层)覆盖上述第二半导体层；透明导电玻璃基底上的蚀刻沟道的两面侧墙为斜角设置，分别与底面成110-170°的夹角。该钙钛矿太阳能电池模块的具体制备工艺包括以下步骤：(1)通过干刻或者湿刻等方法，蚀刻导电玻璃的基底导电层，进行底部单节电池绝缘隔离，蚀刻宽度大于100nm，厚度为50-500nm，蚀刻的基底导电层侧表面与基底夹角为110-170°(形成利于沉积的斜坡)；(2)通过喷涂、旋涂、磁控溅射或者真空蒸镀等方法制备第一半导体层，厚度为10nm-200nm；(3)通过喷涂、旋涂或者真空蒸镀等方法制备第二半导体层，厚度为50nm-1000nm；(4)通过喷涂、旋涂或者真空蒸镀等方法制备第三半导体层，厚度为10nm-500nm；(5)通过干刻或者湿刻等方法，蚀刻第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；(6)通过喷涂、旋涂或者真空蒸镀等方法制备对电极层，厚度为10nm-1000nm；(7)通过干刻或者湿刻等方法，蚀刻电极层，蚀刻宽度为1um-500um。本发明另提供了一种用于断开钙钛矿太阳能电池中设于基底上的连续导电层的隔断沟道，所述隔断沟道包括基底材质的底面和导电层材质的两面侧墙，其中，至少一面侧墙与底面呈110-170°；优选为120-160°；进一步优选为130-155°；更优选为140-150°。在上述用于断开钙钛矿太阳能电池中设于基底上的连续导电层的隔断沟道中，优选地，所述底面的宽度至少大于100nm(最大宽度可根据电池的实际要求进行常规设置)，侧墙的垂直高度50-500nm。在上述用于断开钙钛矿太阳能电池中设于基底上的连续导电层的隔断沟道中，优选地，所述侧墙具有平面状坡面或阶梯状坡面；进一步优选地，所述阶梯状坡面由若干台阶单元组成，所述台阶单元的拐角角度大于90°。附图说明图1为实施例1中钙钛矿太阳能电池模块中具有斜坡结构的隔断沟道示意图；图2为对比例1中钙钛矿太阳能电池模块中具有直角结构的隔断沟道示意图；图3为实施例1中钙钛矿太阳能电池模块的制备流程示意图；图4为对比例1中钙钛矿太阳能电池模块的制备流程示意图。具体实施方式为了对本发明的技术特征、目的和有益效果有更加清楚的理解，现对本发明的技术方案进行以下详细说明，但不能理解为对本发明的可实施范围的限定。实施例1本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池模块，断开钙钛矿太阳能电池模块基底上连续导电层的隔断沟道的侧墙具有斜坡结构(隔断沟道结构如图1所示)，该斜坡结构具有与基底成135°的坡面，具体制备步骤(制备流程如图3所示)包括：(1)激光刻蚀钙钛矿太阳能电池模块中隔离单节电池的沟道，具体为：将透明导电玻璃(在透明玻璃基底上已沉积有导电层)放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为135°，通过控制软件设定刻蚀位置和参数，然后按照设定参数对导电玻璃上的导电层进行刻蚀(刻蚀后的沟道为敞口形状)；刻蚀参数具体为功率为2000mW，速度20mm/s，频率20000Hz，刻蚀宽度为100μm；(2)在上述透明导电基底上通过喷涂、或蒸镀、或溅射、或丝网印刷的方法依次制备第一半导体层(电子传输层)、第二半导体层(钙钛矿吸光层)和第三半导体层(空穴传输层)，具体为：底部电子传输层为TiO2层(厚度为20nm致密层和150nm多孔层)，钙钛矿吸光层为CH3NH3PbI3(厚度为400nm)，Spiro-OMeTAD空穴传输层，厚度为200nm；(3)激光蚀刻上述第三半导体层至第一半导体层：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为90°，将激光光束聚焦，然后按照设定参数进行刻蚀；刻蚀参数具体为功率为200mW，速度50mm/s，频率50000Hz，刻蚀宽度为200μm；(4)在上述第三半导体层上，通过蒸镀方法制备对电极层，具体为：通过蒸镀方法制备厚度100nmAg；(5)激光蚀刻上述对电极层：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为90°，将激光光束聚焦在Ag对电极表面，然后按照设定参数进行刻蚀，完成一块钙钛矿太阳能电池模块的制备；刻蚀参数具体为功率为400mW，速度20mm/s，频率100000Hz，刻蚀宽度为100μm。按照上述步骤分别制备三块钙钛矿太阳能电池模块，并分别标记为A1、A2和A3。实施例2本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池模块，断开钙钛矿太阳能电池模块基底上连续导电层的隔断沟道的侧墙具有斜坡结构(呈120°)，具体制备步骤包括：(1)激光刻蚀钙钛矿太阳能电池模块中隔离单节电池的沟道，具体为：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为120°，通过控制软件设定刻蚀位置和参数，然后按照设定参数进行刻蚀；刻蚀参数具体为功率为3000mW，速度100mm/s，频率30000Hz，刻蚀宽度为100μm；(2)在上述透明导电基底上通过喷涂、或蒸镀、或溅射、或丝网印刷的方法依次制备第一半导体层(空穴传输层)、第二半导体层(钙钛矿吸光层)和第三半导体层(电子传输层)，具体为：底部空穴传输层为NiO层(厚度为20nm)，钙钛矿吸光层为CH3NH3PbI3(厚度为400nm)，PCBM电子传输层(厚度为120nm)；(3)激光蚀刻上述第三半导体层至第一半导体层：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为90°，将激光光束聚焦，然后按照设定参数进行刻蚀；刻蚀参数具体为功率为200mW，速度50mm/s，频率50000Hz，刻蚀宽度为200μm；(4)在上述第三半导体层上，通过喷涂、或蒸镀、或溅射、或丝网印刷的方法制备对电极层，具体为：通过蒸镀方法制备厚度100nmAg；(5)激光蚀刻上述对电极层：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为90°，将激光光束聚焦在Ag对电极表面，然后按照设定参数进行刻蚀；完成一块钙钛矿太阳能电池模块的制备；刻蚀参数具体为功率为400mW，速度20mm/s，频率100000Hz，刻蚀宽度为100μm。按照上述步骤分别制备三块钙钛矿太阳能电池模块，并分别标记为B1、B2和B3。实施例3本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池模块，断开钙钛矿太阳能电池模块基底上连续导电层的隔断沟道的侧墙具有斜坡结构(呈150°)，具体制备步骤包括：(1)激光刻蚀钙钛矿太阳能电池模块中隔离单节电池的沟道，具体为：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为150°，通过控制软件设定刻蚀位置和参数，然后按照设定参数进行刻蚀；刻蚀参数具体为功率为3000mW，速度100mm/s，频率30000Hz，刻蚀宽度为100μm；(2)在上述透明导电基底上通过喷涂、或蒸镀、或溅射、或丝网印刷的方法依次制备第一半导体层(空穴传输层)、第二半导体层(钙钛矿吸光层)和第三半导体层(电子传输层)，具体为：底部空穴传输层为NiO层(厚度为20nm)，钙钛矿吸光层为CH3NH3PbI3(厚度为400nm)，PCBM电子传输层(厚度为120nm)；(3)激光蚀刻上述第三半导体层至第一半导体层：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为90°，将激光光束聚焦，然后按照设定参数进行刻蚀；刻蚀参数具体为功率为200mW，速度50mm/s，频率50000Hz，刻蚀宽度为200μm；(4)在上述第三半导体层上，通过喷涂、或蒸镀、或溅射、或丝网印刷的方法制备对电极层，具体为：通过蒸镀方法制备厚度100nmAg；(5)激光蚀刻上述对电极层：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为90°，将激光光束聚焦在Ag对电极表面，然后按照设定参数进行刻蚀；完成一块钙钛矿太阳能电池模块的制备；刻蚀参数具体为功率为400mW，速度20mm/s，频率100000Hz，刻蚀宽度为100μm。按照上述步骤分别制备三块钙钛矿太阳能电池模块，并分别标记为C1、C2和C3。实施例4本实施例提供了一种钙钛矿太阳能电池模块，断开钙钛矿太阳能电池模块基底上连续导电层的隔断沟道的侧墙具有斜坡结构(呈135°)，具体制备步骤包括：(1)激光刻蚀钙钛矿太阳能电池模块中隔离单节电池的沟道，具体为：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为135°，通过控制软件设定刻蚀位置和参数，然后按照设定参数进行刻蚀；刻蚀参数具体为功率为3000mW，速度100mm/s，频率30000Hz，刻蚀宽度为100μm；(2)在上述透明导电基底上通过喷涂、或蒸镀、或溅射、或丝网印刷的方法依次制备第一半导体层(空穴传输层)、第二半导体层(钙钛矿吸光层)和第三半导体层(电子传输层)，具体为：底部空穴传输层为NiMgLiO层(厚度为20nm)，钙钛矿吸光层为(NH2CH＝NH2PbI3)0.15(CH3NH3PbI3)0.85(厚度为400nm)；PCBM/TiO2电子传输层(厚度为120nm)；(3)激光蚀刻上述第三半导体层至第一半导体层：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为90°，将激光光束聚焦在，然后按照设定参数进行刻蚀；刻蚀参数具体为功率为200mW，速度50mm/s，频率50000Hz，刻蚀宽度为200μm；(4)在上述第三半导体层上，通过喷涂、或蒸镀、或溅射、或丝网印刷的方法制备对电极层，具体为：通过蒸镀方法制备厚度100nmAg；(5)激光蚀刻上述对电极层：将透明导电玻璃放置于夹具之中，调整导电玻璃与投射激光的角度为90°，将激光光束聚焦在Ag对电极表面，然后按照设定参数进行刻蚀；完成一块钙钛矿太阳能电池模块的制备；刻蚀参数具体为功率为400mW，速度20mm/s，频率100000Hz，刻蚀宽度为100μm。按照上述步骤分别制备三块钙钛矿太阳能电池模块，并分别标记为D1、D2和D3。对比例1本对比例1提供了一种现有技术中的钙钛矿太阳能电池模块，断开钙钛矿太阳能电池模块基底上连续导电层的隔断沟道的侧墙为近似90°的直角结构(隔断沟道结构如图2所示)，具体制备过程参照实施例3进行，除了将步骤(1)中的导电玻璃与投射激光的角度调整为90°外，其他参数设置均相同(制备过程如图4所示)。按照上述步骤分别制备三块用于对比的钙钛矿太阳能电池模块，分别记为E1、E2和E3。测试例1本测试例提供了实施例1-4和对比例1中钙钛矿太阳能电池模块的性能测试实验，具体测试数据见表1-表5。表1实施例1中钙钛矿太阳能电池模块性能(电池面积36cm-2)短路电流(mAcm-2)开路电压(V)影响因子效率(％)A12.0110.150.7114.48A22.0210.160.7214.78A32.0110.140.7214.67表2实施例2中钙钛矿太阳能电池模块性能(电池面积36cm-2)短路电流(mAcm-2)开路电压(V)影响因子效率(％)B12.1110.070.6914.66B22.110.060.6914.58B32.0910.040.6814.27表3实施例3中钙钛矿太阳能电池模块性能(电池面积36cm-2)短路电流(mAcm-2)开路电压(V)影响因子效率(％)C12.0410.160.7315.13C22.0210.160.7314.98C32.0310.150.7214.83表4实施例4中钙钛矿太阳能电池模块性能(电池面积36cm-2)短路电流(mAcm-2)开路电压(V)影响因子效率(％)D12.1310.110.7215.50D22.1110.120.6914.73D32.110.110.6814.44表5对比例1中钙钛矿太阳能电池模块性能(电池面积36cm-2)短路电流(mAcm-2)开路电压(V)影响因子效率(％)E11.989.150.6511.78E21.819.450.6511.12E31.628.650.628.69通过表1-表5的测试数据可知，实施1-4中制备的沟道侧墙为斜坡结构的钙钛矿太阳能电池模块的性能全面优于对比例中的沟道侧墙为直角结构的钙钛矿太阳能电池模块。当前第1页1 2 3