技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区和NMOS区，所述PMOS区和NMOS区上形成有栅极结构；在所述半导体衬底和所述栅极结构上沉积第一硬掩膜层，并在所述第一硬掩膜层上沉积第二硬掩膜层；执行刻蚀，以去除位于所述PMOS区的第二硬掩膜层；刻蚀位于PMOS区的第一硬掩膜层，以在PMOS区栅极结构侧壁上形成硬掩膜侧墙；以剩余的第一硬掩膜层及第二硬掩膜层为掩膜刻蚀所述PMOS区暴露的半导体衬底，以形成凹槽；在所述凹槽中形成嵌入式锗硅层。本发明提出半导体器件的制造方法，可以避免产生光刻胶的负载效应。
技术研发人员：韩秋华;吴端毅
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2018.10.02