技术总结
本发明实施例公开了一种半导体器件的导通孔结构，该结构包括：半导体基体；导通孔，形成在半导体基体中，导通孔中填充有电镀材料，电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙，空隙中填充有有机聚合物；依次形成在半导体器件表面的下金属层和种子层，下金属层和种子层覆盖电镀材料和有机聚合物；微凸点，形成在种子层上方，且与导通孔的位置对应。本发明实施例提供的半导体器件的导通孔结构，避免了半导体通孔结构中出现缝隙以及应力集中的问题。
技术研发人员：张文奇;戴风伟;李明;张俊红;高兰雅
受保护的技术使用者：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海交通大学
文档号码：201611152903
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.05.31