1.一种钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括:
步骤A、首先将钙钛矿前驱体溶液旋涂到衬底上;其中,所述钙钛矿前驱体溶液选用的溶剂为DMF、DMSO、中的一种或多种;
步骤B、然后旋转旋涂有钙钛矿前驱体溶液的衬底,在钙钛矿前驱体溶液未完全挥发时,停止旋转,放置一定的时间;
步骤C、重新旋转旋涂有钙钛矿前驱体溶液的衬底,然后再滴入反型溶剂,在80~120℃下退火5~15分钟,制成钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤A中,所述衬底为透明电极,所述透明电极上形成有一致密层。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述致密层为TiO2、SnO2、ZnO、PEDOT:PSS、NiO中的一种。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤B中,放置的时间为10~180s。
5.根据权利要求4所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤B中,放置的时间为10~50s。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤C中,所述反型溶剂为甲苯、氯苯、氯仿、乙醚中的一种或多种。
7.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述透明电极为ITO导电玻璃。
8.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述致密层的厚度为30~50nm。
9.一种钙钛矿薄膜,其特征在于,所述钙钛矿薄膜采用如权利要求1~8任一所述的钙钛矿薄膜的制备方法制备而成。
10.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池包括如权利要求9所述的钙钛矿薄膜。