半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
一种半导体器件包括半导体衬底以及至少一个栅极堆叠件。栅极堆叠件位于半导体衬底上，并且栅极堆叠件包括至少一个功函数导体和填充导体。在功函数导体中具有凹槽。填充导体包括插塞部和盖部。插塞部位于功函数导体的凹槽中。盖部覆盖功函数导体。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。

技术研发人员：张哲诚;林志翰;曾鸿辉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.15
技术公布日：2017.08.29