制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置与流程

技术特征：

1.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包含：

在基板上形成氧化物半导体图案；

在其上形成有所述氧化物半导体图案的所述基板上顺序地层叠绝缘材料层和金属层；

在所述金属层上形成光敏图案；

通过使用所述光敏图案作为掩模蚀刻所述金属层而形成栅电极，其中所述栅电极的至少一部分交叠所述氧化物半导体图案的第一氧化物半导体区域；

通过使用所述光敏图案作为掩模部分地蚀刻所述绝缘材料层而形成栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜包括在所述光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及

在所述栅绝缘膜上执行等离子体处理，使得所述氧化物半导体图案的在所述第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理使用含氢气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二厚度在从到的范围。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

去除所述光敏图案；

在所述栅电极和所述栅绝缘膜上形成层间绝缘膜；

通过蚀刻所述栅绝缘膜和所述层间绝缘膜，形成接触孔，其中所述第二氧化物半导体区域的一部分通过该接触孔暴露；以及

形成通过所述接触孔电连接到所述第二氧化物半导体区域的暴露部分的电极。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅电极包含使用所述光敏图案作为掩模湿法蚀刻所述金属层，其中所述栅电极的侧表面从所述光敏图案的侧表面向内设置。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅绝缘膜包含使用所述光敏图案作为掩模部分地干蚀刻所述绝缘材料层，其中所述光敏图案的边缘对应于在所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域之间的边界。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘区域包含被所述栅电极覆盖的中心部分和没有被所述栅电极覆盖的边缘部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中执行所述等离子体处理包含：

去除所述光敏图案；以及

使用所述栅电极作为掩模执行等离子体处理以形成包含在所述第一绝缘区域的所述中心部分下面的所述第一氧化物半导体区域、在所述第一绝缘区域的所述边缘部分下面的第三氧化物半导体区域以及在所述第二绝缘区域下面的所述导电的第二氧化物半导体区域的所述氧化物半导体图案，

其中所述第三氧化物半导体区域具有小于所述第一氧化物半导体区域的电阻且大于所述第二氧化物半导体区域的电阻的电阻。

9.一种薄膜晶体管基板，包含：

基板；

氧化物半导体图案，设置在所述基板上并且包含半导体特性的第一氧化物半导体区域和导电的第二氧化物半导体区域；

栅绝缘膜，设置在其上形成有所述氧化物半导体图案的所述基板上，并且包含具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；

栅电极，设置在所述第一绝缘区域上，其中所述栅电极的至少一部分交叠所述第一氧化物半导体区域；以及

层间绝缘膜，设置在其上形成有所述栅电极的所述栅绝缘膜上，

其中所述第二氧化物半导体区域由于在所述栅电极和栅绝缘膜上执行的氢气基等离子体工艺而变得导电。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，还包含电极，该电极设置在所述层间绝缘膜上并且通过穿过所述层间绝缘膜和所述栅绝缘膜的接触插塞电连接到所述第二氧化物半导体区域。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二厚度在从到的范围内。

12.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一绝缘区域包含被所述栅电极覆盖的中心部分和没有被所述栅电极覆盖的边缘部分。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管基板，其中所述氧化物半导体图案包含第三氧化物半导体区域，该第三氧化物半导体区域设置在所述第一氧化物半导体区域和第二氧化物半导体区域之间并且具有小于所述第一氧化物半导体区域的电阻且大于所述第二氧化物半导体区域的电阻的电阻。

14.一种平板显示装置，包含：

基板；

氧化物半导体图案，设置在所述基板上并且包含半导体特性的第一氧化物半导体区域和导电的第二氧化物半导体区域；

栅绝缘膜，设置在其上形成有所述氧化物半导体图案的所述基板上并且包含具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；

栅电极，设置在所述第一绝缘区域上，其中所述栅电极的至少一部分交叠所述第一氧化物半导体区域；

层间绝缘膜，设置在其上形成有所述栅电极的所述栅绝缘膜上；和

电极，设置在所述层间绝缘膜上，通过穿过所述层间绝缘膜和所述栅绝缘膜的接触插塞而电连接到所述第二氧化物半导体区域。

15.根据权利要求14所述的平板显示装置，其中所述第二氧化物半导体区域由于在所述栅电极和所述栅绝缘膜上执行的氢气基等离子体工艺而变得导电。

16.根据权利要求14所述的平板显示装置，其中所述第二厚度在从到的范围内。

17.根据权利要求14所述的平板显示装置，其中所述第一绝缘区域包含被所述栅电极覆盖的中心部分和没有被所述栅电极覆盖的边缘部分。

18.根据权利要求17所述的平板显示装置，其中所述氧化物半导体图案包含第三氧化物半导体区域，该第三氧化物半导体区域设置在所述第一氧化物半导体区域和所述第二氧化物半导体区域之间并且具有小于所述第一氧化物半导体区域的电阻且大于所述第二氧化物半导体区域的电阻的电阻。

19.根据权利要求14所述的平板显示装置，还包含：

电连接到所述电极的像素电极；

面对所述像素电极的对电极；和

设置在所述像素电极和所述对电极之间的有机发光层。

20.根据权利要求14所述的平板显示装置，还包含：

电连接到所述电极的像素电极；

面对所述像素电极的对电极；和

设置在所述像素电极和所述对电极之间的液晶层。