采用量子点薄膜的图像传感器及制备方法与流程

文档序号:11521964阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供了一种采用量子点薄膜的图像传感器及制备方法,该图像传感器包括:在衬底表面设置有底部隔离层;位于底部隔离层上的N层隔离层,相邻上层隔离层的金属互连线底部与下层隔离层的金属接触孔顶部相接触;位于第N层隔离层上的第N+1层隔离层,第N+1层隔离层中贯穿设置有第N+1层金属互连线;第N+1层金属互连线底部与第N层金属接触孔顶部一一对应且相接触;在第N+1层金属互连线顶部设置有金属电极;在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖有量子点薄膜。本发明的图像传感器具有有更强的光线敏感度,更大的动态范围和更优化的成像稳定性。

技术研发人员:杨冰;周伟;胡少坚;耿阳;肖慧敏
受保护的技术使用者:上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
技术研发日:2016.12.27
技术公布日:2017.08.18
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