技术领域本实用新型涉及一种半导体加工治具，特别是涉及一种具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具。
背景技术：
在晶圆的切割制程中，分为全切及半切两种切割方式，在全切制程中，一片晶圆经切穿后的小块晶片会被放入脆盘进行检测是否有不良品，但是其检测的准确度及效率不佳，因此，业界逐渐使用半切制程，在初次切割时，该晶圆未被完全切穿，即进行检测是否有不良品，由于相邻晶片间的电路仍相连，能提升检测的准确度及效率，并能立即检测出该晶圆中不良晶片的位置。然而，进行半切制程前，该晶圆的底部会上胶，由于胶本身为高分子材料，干掉后会发生收缩的情形，进而造成「板翘」的现象，也就是说该晶圆由中心往边缘向上弯折，使得切割刀无法均匀切割，尤其该晶圆的边缘会被切穿，而不符合半切制程的需求。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种能提高产品良率的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具。本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，并包含一个吸附头座及一个弹性接触层。该吸附头座包括一个连接至该抽气装置的基座本体、多个分别贯穿该基座本体的两相反侧面的通孔，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述通孔的容置凹槽。该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面、多个贯穿该接触面并邻近该接触面中央且分别连通相对应的通孔的内吸附孔、多个贯穿该接触面并邻近该接触面边缘且分别连通相对应的通孔的外吸附孔，及多个形成于该接触面且分别围绕所述外吸附孔的第一气槽。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且分别围绕所述第一气槽的第二气槽，且所述第二气槽的深度浅于所述第一气槽。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，所述内吸附孔与相对应的通孔共同界定出一个内吸附区，所述外吸附孔、所述第一气槽、所述第二气槽与相对应的通孔共同界定出一个外吸附区。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，所述第一气槽及所述第二气槽的横截面概呈矩形。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具还包含一个支撑单元，该支撑单元包括多个设置于该基座本体且紧抵于该弹性接触层边缘的挡墙。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，所述挡墙呈L字形，每一个挡墙具有一个设置于该基座本体顶面的水平板部，及一个由该水平板部向上延伸且紧抵于该弹性接触层边缘的垂直板部。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该支撑单元还包括多个分别将所述挡墙锁固于该基座本体的锁固件。本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层的材质为橡胶。本实用新型的有益效果在于：通过在所述外吸附孔的周围分别开设所述第一气槽，增加气体流动的空间，进而增强所述外吸附孔的吸力，达到提高产品良率的效果。附图说明图1是一立体分解图，说明本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的一个实施例；图2是该实施例的一立体图；图3是该实施例的一局部放大立体图；图4是该实施例的一顶视平面图；图5是沿图4的剖线V-V的一局部剖视图，说明一片晶圆吸附于该实施例待切割的情形。具体实施方式下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明。参阅图1至图3，本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的一个实施例，包含一个吸附头座2、一个弹性接触层3及一个支撑单元4。该吸附头座2包括一个基座本体21、多个分别贯穿该基座本体21的两相反侧面的通孔22，及一个形成于该基座本体21的顶面且连通所述通孔22的容置凹槽23。配合参阅图4，该弹性接触层3以贴合的方式设置于该容置凹槽23，并包括一个呈水平的接触面31、多个贯穿该接触面31并邻近该接触面31中央且分别连通相对应的通孔22的内吸附孔32、多个贯穿该接触面31并邻近该接触面边缘31且分别连通相对应的通孔22的外吸附孔33、多个形成于该接触面31并分别围绕所述外吸附孔33的第一气槽34，及多个形成于该接触面31并分别围绕所述第一气槽34且深度浅于所述第一气槽34的第二气槽35。在本实施例中，该弹性接触层3的材质为橡胶，但不以此为限。所述内吸附孔32与相对应的通孔22共同界定出一个内吸附区24，所述外吸附孔33、所述第一气槽34、所述第二气槽35与相对应的通孔22共同界定出一个外吸附区25。在本实施例中，所述第一气槽34及所述第二气槽35的横截面概呈矩形，但不以此为限。该支撑单元4包括多个设置于该基座本体21且紧抵于该弹性接触层3边缘的挡墙41，及多个分别将所述挡墙41锁固于该基座本体的锁固件42。在本实施例中，每一个锁固件42为一个螺丝，但不以此为限。所述挡墙41呈L字形，每一个挡墙41具有一个设置于该基座本体21顶面的水平板部411，及一个由该水平板部411向上延伸且紧抵于该弹性接触层3边缘的垂直板部412。参阅图4及图5，实际使用时，将本实施例架设于一个产线(图未示)的切割机(图未示)上，并将一个抽气装置8连接至该基座本体21，再将一片晶圆9设置于该弹性接触层3的接触面31上，接着，启动该抽气装置8，通过该内吸附区24及该外吸附区25内的气体所形成的吸力吸附该晶圆9，切割过程中，本实施例适用于半切制程，一个切割刀(图未示)通过该弹性接触层3的接触面31上方，并将该晶圆9切割成许多未完全分离的晶片，再进行后续的加工，能提升检测的准确度及效率，并能立即检测出该晶圆9中不良晶片的位置。吸气过程中，往往靠近该吸附头座2中央的吸力较大，越往边缘的吸力渐弱，本实施例通过在所述外吸附孔33的外围分别设置所述第一气槽34及所述第二气槽35，增加气体流动的空间，进而增强该外吸附区25的吸力，即使该晶圆9发生如先前技术所述的「板翘」现象，该晶圆9的边缘也能完整地吸附于该弹性接触层3，使得该切割刀能够均匀地切割该晶圆9，进而提高产品的良率。值得一提的是，由于该弹性接触层3的材质为橡胶，若所述第一气槽34开设的区域过大，会破坏该弹性接触层3的结构稳定性，因此，本实施例分别在所述第一气槽34的周围开设深度较浅的所述第二气槽35，既能达到增强该外吸附区25吸力的效果，也能维持该弹性接触层3的结构稳定性。综上所述，本实用新型通过在所述外吸附孔33的周围分别开设所述第一气槽34，增加气体流动的空间，进而增强所述外吸附孔33的吸力，使该晶圆9能够完整地吸附于该弹性接触层，达到提高产品良率的效果，所以确实能达成本实用新型的目的。