1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
第一信号线，形成于所述基板上；以及
薄膜晶体管，形成于所述基板上，其有源层与所述第一信号线处于所述基板上方不同的层，两者在基板平面上的投影至少两次重叠。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：
所述薄膜晶体管与所述第一信号线相互独立；或
所述第一信号线包括：所述薄膜晶体管的栅极；或
所述第一信号线与所述薄膜晶体管的栅极为一体结构。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层包括：有源层重叠段；
所述有源层重叠段包括至少一弯折部，其在基板平面的投影与所述第一信号线在基板平面上的投影两次、三次或四次重叠；
或者所述有源层重叠段包括至少一个一侧开口的图形，其在基板平面的投影与所述第一信号线在基板平面上的投影两次、三次或四次重叠。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：
所述有源层重叠段呈“U”字形，其与所述第一信号线在基板平面上的投影两次重叠；或
所述有源层重叠段呈“山”字形或“W”字形，其与所述第一信号线在基板平面上的投影三次重叠。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：第二信号线；
其中，所述第一信号线和第二信号线限定一功能区域，该功能区域对应至少一所述薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：
所述有源层重叠段呈“U”字形，其与所述第一信号线在基板平面上的投影两次重叠；
与所述第一信号线相交的有源层重叠段形成薄膜晶体管的沟道第一部分和沟道第二部分，所述薄膜晶体管的沟道第一部分和沟道第二部分处于所述第二信号线不同侧。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，位于功能区域一侧的第二信号线形成一信号线平移段；
所述信号线平移段在第二信号线总体走向的基础上，沿垂直于第二信号线总体走向的方向平移预设距离，所述薄膜晶体管的沟道第一部分和沟道第二部分处于所述信号线平移段的不同侧。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管的沟道第一部分和沟道第二部分相对于所述信号线平移段对称。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：
所述信号线平移段在基板平面上的投影靠近所述沟道第一部分，而远离所述沟道第二部分；或者
所述信号线平移段在基板平面上的投影与所述沟道第一部分在基板平面上的投影部分重叠。
10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第二信号线的不同信号平移段在平移方向上相同或者不同。
11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：
所述信号线平移段相对于第二信号线总体走向平移的距离d满足：1μm≦d≦10μm；和/或
所述薄膜晶体管的沟道第一部分与所述信号线平移段的距离d1满足：1μm≦d1≦10μm。
12.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述信号线平移段在第二信号线总体走向的基础上，沿靠近或远离所述功能区域的方向平移预设距离。
13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述信号线平移段在第二信号线总体走向的基础上，沿远离所述功能区域的方向平移预设距离；
所述有源层还包括：有源层连接段，连接所述有源层重叠段远离功能区域的第二部分与所述第二信号线。
14.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述信号线平移段在第二信号线总体走向的基础上，沿靠近所述功能区域的方向平移预设距离；
所述有源层重叠段远离功能区域的第二部分与所述第二信号线的总体走向对齐。
15.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，位于功能区域一侧的第二信号线为一连续的长条状；
所述有源层还包括：有源层连接段，连接所述有源层重叠段远离功能区域的第二部分与所述第二信号线。
16.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一信号线、第二信号线和多个薄膜晶体管形成于所述薄膜晶体管阵列基板的显示区；
所述第一信号线为栅线，所述第二信号线为数据线，相邻的两条栅线与相邻的两条数据线限定一像素区域，所述薄膜晶体管的第一端与一数据线电性连接，所述薄膜晶体管的第二端与像素区域内的像素电极电性连接。
17.根据权利要求16所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：
所述有源层重叠段远离所述像素区域的第二部分通过第一过孔与数据线电性连接；
所述有源层重叠段靠近所述像素区域的第一部分通过第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性连接，并通过第三过孔与所述像素区域内的像素电极电性连接。
18.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一信号线和薄膜晶体管形成于所述薄膜晶体管阵列基板的非显示区；
所述薄膜晶体管的第一端与所述第一信号线电性连接，所述第一信号线为栅线或数据线，所述薄膜晶体管的第二端与公共电极引线电性连接。
19.根据权利要求5至18中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一信号线和第二信号线为单层结构或双层结构。
20.根据权利要求5至18中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：
所述薄膜晶体管为顶栅结构的双栅薄膜晶体管，所述有源层上方形成有栅极绝缘层，所述第一信号线形成于该栅极绝缘层上方；在所述第一信号线上方具有层间绝缘层，所述第二信号线在该层间绝缘层上方穿过；或
所述薄膜晶体管为底栅结构的双栅薄膜晶体管，所述第一信号线上方形成有栅极绝缘层，所述有源层形成于所述栅极绝缘层上方；所述第二信号线在所述有源层上方穿过，其与所述有源层之间通过层间隔离层隔开。
21.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至20中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板。