技术总结
本实用新型涉及常关断型HEMT晶体管。一种常关断型HEMT晶体管包括：半导体异质结(4、6、200)，其至少包括一个第一层(4)和一个第二层(6)，第二层布置在第一层的顶部上；沟槽(15)，其延伸穿过第二层和第一层的一部分；导电材料的栅极区(10)，其在沟槽中延伸；以及介电区(18)，其在沟槽中延伸，涂覆栅极区并且接触半导体异质结。沟槽的一部分由形成至少一个第一台阶(Pb1、Pl1、Pb2)的横向结构(LS)横向定界。半导体异质结形成第一台阶的第一边缘(E1)和第二边缘(E2)，第一边缘由第一层形成。
技术研发人员：F·尤克拉诺;A·帕蒂;A·基尼
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
文档号码：201620498360
技术研发日：2016.05.26
技术公布日：2016.11.30