改进的二极管结构的制作方法

本实用新型为提供一种改进的二极管结构，尤指一种利于大量生产，且制造流程较简单、二极管导电质量较高的改进的二极管结构。

背景技术：

相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种实用新型的发光源，已经被越来越广泛的应用。其中低功率的发光二极管，因成本较低、较无散热问题，常需要被大量的制造。

然而，传统低功率表面黏着二极管采用柱状二极管封装(MELF)，但其相关取件、置件、黏着及焊接等制程较不适合自动化大量生产。虽目前已改采片状二极管进行封装，但其制造流程包括切割、涂布封装材料、研磨、涂布保护层、再切割、再涂布导电膏、最后焊接导电端子等等。导致制造流程不合理想、制造效率不佳、无法精确控制质量，且可能有产品外观表面凹凸不平的问题。

是以，要如何解决上述现有的问题与缺失，即为本申请人与从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。

故，本申请人有鉴于上述缺失，搜集相关资料，经由多方评估及考虑，并以从事于此行业累积的多年经验，经由不断试作及修改，设计出此种利于大量生产，且制造流程较简单、二极管导电质量较高的改进的二极管结构的实用新型专利。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种改进的二极管结构，透过简化二极管的结构，减少所需的制造流程、提高生产效率、提高二极管导电质量。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种改进的二极管结构，包括：一陶瓷基板，该陶瓷基板相背离的 两侧分别界定一第一表面及一第二表面，并于该第二表面交错形成数个切割槽，以于该些切割槽间界定出数个承载部，且该些切割槽包括数个第一切割槽、至少一位于各该第一切割槽间的第二切割槽、及至少一与该些第一切割槽及该第二切割槽交错成型的第三切割槽，再以真空溅镀方式分别于相邻的二承载部间形成数个导线层，且该些导线层延伸形成于一假想线两侧，该假想线由该第一切割槽槽底向该第一表面延伸，另外，分别于各该第一表面的承载部上凸设数个晶粒部，及于该第一表面上设置至少一保护层，供覆盖该些第一切割槽及该第二切割槽；当使用者将本实用新型做为二极管制作的目标态样时，除了利用第二表面的切割槽区分出数个承载部，以完成分割二极管的准备工作，提高其表面的平整性与圆滑度外，更利用真空溅镀的金属层的方式，在假想线的两侧延伸形成一连接相邻的承载部的导线层，减少电性工序的作业范围及工作时间，配合晶粒部及保护层的设置，即完成本实用新型二极管的结构。

借由上述技术，可针对现有二极管的结构所存在的结构较复杂、制造成本较高、生产效率较差、不适合大量生产及质量不佳等问题点加以突破，达到上述优点的实用进步性。

本实用新型的有益效果是，透过简化二极管的结构，减少所需的制造流程、提高生产效率、提高二极管导电质量。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1为本实用新型较佳实施例的立体图。

图2为本实用新型较佳实施例的另一角度立体图。

图3为本实用新型较佳实施例的分解图。

图4为本实用新型图1所示的A-A线局部剖视图。

图5为本实用新型再一实施例的使用状态图。

图6为本实用新型图5所示的B-B线剖视图。

图中标号说明：

1 陶瓷基板

11 第一表面

12 第二表面

13、13a 承载部

131、131a 导电端子

132a 电镀层

2 切割槽

21 第一切割槽

22 第二切割槽

23 第三切割槽

3、3a 导线层

31 第二导线层

4、4a 晶粒部

41 导电膏

42 封盖部

5、5a 保护层

51a 标示部

L 假想线

具体实施方式

请参阅图1、图2、图3及图4所示，为本实用新型较佳实施例的立体图、另一角度立体图、分解图及图1所示的A-A线局部剖示图，由图中可清楚看出本实用新型包括：

一陶瓷基板1，该陶瓷基板1相背离的两侧分别界定一第一表面11及一第二表面12；

数个交错形成于该第二表面12的V形切割槽2，以于该些切割槽2间界定出数个承载部13，并该切割槽2供分离断开各该承载部13，且该些切割槽2包括数个第一切割槽21、至少一位于各该第一切割槽21间的第二切割槽22、及至少一与该些第一切割槽21及该第二切割槽22交错成型的第三切割槽23；

数个以真空溅镀方式分别形成于相邻的二承载部13间的导线层3，且该些导线层3延伸形成于一假想线L两侧，该假想线L由该第一切割槽21槽底向该第一表面11延伸；

数个以真空溅镀方式形成于各该承载部13背离各该导线层3一侧 的第二导线层31，该些第二导线层31由各该导线层3相背离的两端面延伸形成；

数个分别凸设于该第一表面11的承载部13上的晶粒部4，该些晶粒部4利用至少一导电膏41固设于各该承载部13上；

至少一覆盖于该第一表面11及该些晶粒部4上的封盖部42，而各该晶粒部4以研磨方式凸设于该封盖部42，该封盖部42上具有数个以真空溅镀方式形成的导电端子131，分别由各该晶粒部4一侧延伸形成至对应各该承载部13的端面处；及

至少一设于该第一表面11的保护层5，该保护层5供覆盖该些第一切割槽21及该第二切割槽22。

借由上述的说明，已可了解本技术的结构，而依据这个结构的对应配合，更可达到利于大量生产，且制造流程较简单、二极管导电质量较高等优势，而详细的解说将于下述说明。

具体而言，本实用新型借由同时在陶瓷基板1的第二表面12形成数个相互交错的切割槽2，其分割方式大致上是利用纵向的第一切割槽21及第二切割槽22，以及横向的第三切割槽23，使整片陶瓷基板1划分出数个数组并排的承载部13，以完成分割二极管的准备工作，提高其表面的平整性与圆滑度外，且各切割槽2呈现V形以增加导电面积。更重要的是，本实用新型是以真空溅镀金属层的方式，在假想线L的两侧(如图4)延伸形成一连接相邻的承载部13的导线层3，以减少电性工序的作业范围及工作时间，换言之，该导线层3形成于奇数的纵向切割槽2(第一切割槽21)相对的第一表面11处，使每两个承载部13间连接有一真空溅镀形成的导线层3。另于陶瓷基板1邻近其端面的纵向切割槽2的两侧以真空溅镀方式分别形成数个第二导线层31。

而透过导电膏41黏固于第一表面11的承载部13上的晶粒部4，相较一般黏着方式也能提升其导电效果，且该些晶粒部4经过封盖部42稳固于各承载部13上，仅以研磨方式将晶粒部4顶端的凸块显露于封盖部42外，故整体结构强度良好，接着，以真空溅镀方式在封盖部42上形成导电端子131来电性连结各晶粒部4，且如图3所示，导电端子131亦可延伸形成于封盖部42上位于第二切割槽22的假想 线(未标示)两侧，而与导线层3位置对应或交错，以简化导电端子131的工序，再者，最上层的保护层5得以有效将晶粒部4与外界隔离，而减少其直接接触的机率、确保其使用寿命，且保护层5以不覆盖横向切割槽2(第三切割槽23)的方式布设，以避免影响切割槽2的分割动作。

依据上述结构制作的二极管，最后只要利用各切割槽2将各承载部13分离断开，即可简单完成单颗的二极管，借此达到利于大量生产、制造流程较简单、导电质量较高等进步性。

再请同时配合参阅图5及图6所示，为本实用新型再一实施例的使用状态图及图5所示的B-B线剖视图，由图中可清楚看出，本实施例与上述实施例为大同小异，仅于分离断开后的各承载部13a的导电端子131a上及各该承载部13a背离该导电端子131a的侧处设置至少一电镀层132a，使电镀层132a、导电端子131a、晶粒部4a、导线层3a及另一侧的电镀层132a得与外部线路形成回路，且该电镀层132a以镍、锡或铅其中之一的材质制成，再次强化本实用新型的导电效果，并于保护层5a上具有至少一标示部51a，以供注记每颗二极管的编码序号。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

综上所述，本实用新型在结构设计、使用实用性及成本效益上，完全符合产业发展所需，且所揭示的结构亦是具有前所未有的创新构造，具有新颖性、创造性、实用性，符合有关实用新型专利要件的规定，故依法提起申请。